Strukturuntersuchungen an elektronischen Schichten David Rafaja Institut für Metallkunde TU Bergakademie Freiberg
Themen SrTiO3 – ferroelektrische gesinterte Keramik BaxSr1-xTiO3 – MOCVD ferroelektrische Schichten auf Al2O3 Substraten SrTiO3/BaTiO3 – ferroelektrische Multilagenschichten auf Al2O3 Substraten ZnO:Al – Halbleiterschichten auf Al2O3 Substraten
Perowskit-Struktur von SrTiO3 und BaTiO3 SrTiO3: kubisch, Pm3m, a = 3.9059 Å SrTiO2.6: tetragonal, P4/mmm, a = 3.917 Å, c = 3.889 Å PbTiO3: tetragonal, P4mm, a = 3.904 Å, c = 4.152 Å BaTiO3: tetragonal, P4mm, a = 3.9945 Å, c = 4.0335 Å
Beugungsgeometrien für Dünnschicht-analysen mittels Röntgenbeugung Symmetrische Beugungsgeometrie (XRR, XRD) Beugung unter streifendem Einfall (GAXRD) qz qx qy qz qy qx
Beugungsgeometrien für Dünnschicht-analysen mittels Röntgenbeugung qz qx qy Vierkreisdiffraktometer 2
Eindringtiefe der Röntgenstrahlung beim streifendem Einfall (GAXRD) SrTiO3
SrTiO3 – Polykristalline „Keramik“ Bestimmung des spannungsfreien Gitterparameters und der Eigenspannung Beugungsbild
SrTiO3 – Polykristalline „Keramik“ SrTiO3: kubisch, Pm3m, a = 3.9059 Å SrTiO2.6: tetragonal, P4/mmm, a = 3.917 Å, c = 3.889 Å; Mittelwert a = 3.903 Å Bei der Oberfläche nimmt der eigenspannungsfreie Gitterparameter ab „Unterstöchiometrie“ im Sauerstoffgehalt nimmt die Druckspannung zu Konsequenz der Abnahme des Gitterparameters und der Wechselwirkung zwischen benachbarten Kristalliten
SrTiO3 – Polykristalline „Keramik“ Ausbildung einer Druckspannung bei der Oberfläche Abnahme des spannungsfreien Gitterparameters Zunahme der Eigenspannung
SrTiO3 Keramik bei tiefen Temperaturen Tieftemperaturmessung: Sprungartige Änderung des Gitterparameters bei T < 90K Anstieg der Linienbreite bei T < 90K (tetragonale Gitterverzerrung, Phasenübergang)
(injection metal-organic CVD) Heteroepitaxie: SrTiO3 auf Saphir (Al2O3) MOCVD (injection metal-organic CVD) bei 800°C, 5 Torr SrTiO3, Ba0.1Sr0.9TiO3, BaTiO3 Nach der Beschichtung wurden die Schichten 30 min im Sauerstoff nachgeglüht Ausgleich des Sauerstoffgehaltes Al2O3, (001)-orientiert BaxSr1-xTiO3
Eine starke Vorzugsorientierung (111) der Ba1-xSrxTiO3 Schichten Symmetrische Röntgenbeugung Textur (111) in (Ba,Sr)TiO3 || (001) in Al2O3 Kleine Kippung der Vorzugsrichtung von der Oberflächennormale
Zugängliche Netzebenen (im Reflexionsmodus) (111) Al2O3 SrTiO3 (001) (211) (111) (006) (108) Beugungswinkel (211): 57.3 Winkel zwischen (111) und (211): 19.5 Beugungswinkel (108): 61.3 Winkel zwischen (006) und (108): 21.5
Reciprocal space mapping SrTiO3 auf Saphir Al2O3 (018) SrTiO3 (211) n Beugungsebene a qi qo Sample
SrTiO3 auf Al2O3 Atomare Anordnung im direkten Raum Q-Scan O in SrTiO3 Ti O in Al2O3 Al Zwei Kristallitgruppen – gedreht um 60°
BaxSr1-xTiO3 auf Al2O3 SrTiO3 Ba0.1Sr0.9TiO3 BaTiO3 Linienverbreiterung im q-Scan Defektstruktur Gitterfehlanpassung (Abhängigkeit von der Zusammensetzung)
Atomic Force Microscopy BaxSr1-xTiO3 auf Al2O3 Atomic Force Microscopy Pyramidale Kristallite mit zwei unterschiedlichen lateralen Orientierungen 111 111 _ 110 _ 110
Heteroepitaxie: ZnO:Al auf Saphir (Al2O3) Al2O3, (001)-orientiert Hexagonal, a = 4.7588 Å, c = 12.992 Å ZnO: 2 wt.% Al, (001)-orientiert Hexagonal, a = 3.2498 Å, c = 5.2066 Å RF Magnetron-Beschichtung (PVD, 13.56 MHz) 310 K und 900 K, 10–5 Pa (Ar) ZnO mit 2 wt.% Al Wachstumsgeschwindigkeit: 10 nm/min Halbleiter mit breitem Gap (Eg = 3.2 eV) Transparente Elektroden für Dünnschicht-Solarzellen Blaue Laser und Leuchtdioden
ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 310 K
ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 310 K Atomare Anordnung an der Grenzfläche Al2O3/ZnO Stereographische Projektion
ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 310 K Unterschied der Gitterparameter 12.6 % Eigenspannung 1. Art und plastische Verzerrung Eigenspannung 2. Art = -2.06 0.08 GPa
ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 310 K Unterschiedliche Gitterparameter (Substrat – Schicht) kleine laterale Kristallitgröße 100 nm ZnO:Al Schicht auf (001) Saphir. Kleines Bild: SAED Bild (selected area electron diffraction) entlang der [0-20] Zone. Diameter des Primärstrahles ca. 150 nm.
ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 900 K
ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 900 K Zwei Gruppen von ZnO Kristalliten mit unterschiedlicher Ausrichtung zum Al2O3 Substrat
ZnO:Al auf Saphir (Al2O3), T = 900 K Gitterfehlanpassung (lattice mismatch) Eigenspannungen 1. Art Eigenspannungen 2. Art sind erholt
Heteroepitaxie: SrTiO3/BaTiO3 auf Saphir (Al2O3) Strukturmodell: Dicke der einzelnen Schichten Elektronendichten Rauhigkeit und Morphologie der Grenzflächen Netzebenenabstände in einzelnen Schichten Kristallinität Rauhigkeit und Morphologie der Oberfläche BaTiO3 15 x SrTiO3 BaTiO3 Al2O3, (001)-orientiert
Röntgenreflexion im Kleinwinkelbereich XRR Kante der Totalreflexion Elektronendichte der Oberflächenschicht Abnahme der Intensität Rauhigkeit der Probenoberfläche Kiessig-Oszillationen Dicke der gesamten Multilagenschicht (Limit bei ca. 1500 Å), Rauhigkeit des Substrates Bragg-Peaks Dicke einzelner Schichten in der Multilagenschicht, Elektronendichten, Grenzflächenrauhigkeiten
Röntgenbeugung im Weitwinkelbereich XRD Bragg-Peaks von einzelnen Materialien in der Multilagenschicht Netzebenenabstände in einzelnen Schichten Satellitenreflexen Dicke einzelner Schichten in der Multilagenschicht, Grenzflächenrauhigkeit, Grad der Kristallinität
BaTiO3/SrTiO3 (105Å/94Å)x15 Oberflächenrauhigkeit: 10.8 Å 111 (Ba,Sr)TiO3 006 Al2O3 111 (Ba,Sr)TiO3 006 Al2O3 Oberflächenrauhigkeit: 10.8 Å Elektronendichte der Oberfläche: 0.87 (SrTiO3) d = 2.275 Å Keine scharfen Grenzflächen (XRR), kein Unterschied im Netzebenenabstand (XRR) eine starke Interdiffusion an Grenzflächen
BaTiO3/SrTiO3 (109Å/187Å)x15 Oberflächenrauhigkeit: 7.5 Å Elektronendichte der Oberfläche: 0.91 (SrTiO3) t (BaTiO3) = 122 Å; t (SrTiO3) = 193 Å = 315 Å Keine scharfen Grenzflächen (XRR), sichtbarer Unterschied in Netzebenenabständen (XRD) mäßige Interdiffusion
Danksagung Dr. J. Lindner, AIXTRON Aachen Dr. J. Petzelt und Dr. J. Kub, Physikalisches Institut der AdW Prag Dr. K. Ellmer, HMI Berlin