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1 Spektroskopie mit Positronen Lebensdauermessung Carola Oberhüttinger.

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Präsentation zum Thema: "1 Spektroskopie mit Positronen Lebensdauermessung Carola Oberhüttinger."—  Präsentation transkript:

1 1 Spektroskopie mit Positronen Lebensdauermessung Carola Oberhüttinger

2 2 Inhalt Positronenproduktion e + im Festkörper Wechselwirkung mit Fehlstellen Lebensdauermessung –Experimenteller Aufbau –Datenauswertung Slow-positron-beam-Technik Positronenmikroskop

3 3 1. Positronenproduktion β + -Zerfall – 22 Na, 64 Cu, 58 Co,... Paarproduktion (Bremsstrahlung) 113 Cd(n,γ) 114 Cd – Reaktion γ-Quanten mit Gesamtenergie von 9,041 MeV können Paarproduktion machen kontinuierlicher Strahl mit hoher Intensität

4 4 Positronenquelle

5 5 Positronenspektrum

6 6

7 7 2. e + im Festkörper, Thermalisierung e + werden innerhalb von ps auf therm. Energien gebremst Verlust von Energie durch Ionisation, Anregung von Elektronen, Exzitonen usw. Thermalisierungszeit macht nur wenige Prozent der Gesamtlebensdauer aus e + legen dabei eine Strecke von ca. 100 μm zurück

8 8 Eindringtiefe Abhängig von E kin der e + und der Massendichte der Substanz Charakteristische Eindringtiefe: 1/α + 17*ρ/E max 1,43 Im μm Bereich: z.B. Aluminium 1/α + = 90 μm

9 9 Positronen-Eindringtiefenprofil

10 10 Diffusion Diffusionslänge von 0,1 bis 0,4 μm Im thermalisierten Zustand ist das e + delokalisiert e + wird durch Gitterfehler eingefangen Diffusionslänge bestimmt stark die Sensitivität der e + - Methode Nach Diffusion Annihilation unter Aussendung von γ-Strahlung

11 11 Annihilation von e + und e - σ = (πr 0 2 c)/v ~ 1/v Zerstrahlungsrate λ = σvn e ~ n e Lebensdauer τ = 1/ λ ~ 1/n e Lebensdauer sensitiv auf el. Umgebung Typische Lebensdauern: 100 – 200 ps Annihilation in 2 γ-Quanten mit jeweils 511 keV Energie

12 12 3. Wechselwirkung mit Fehlstellen e + werden in Leerstellen, Versetzungen usw. gefangen, da hier Elektronendichte lokal erniedrigt ist Fehlstellen haben unterschiedliche Bindungsenergien Versetzungen als Übergangszustand für assoziierte Defekte (leerstellenartig) Andere Haftstellen: Korngrenzen, Leerstellencluster

13 13 Einfang in einer Leerstelle

14 14 Trapping-Modell Konzentration der Leerstellen aus dem Verhältnis von freien zu eingefangenen e + Im therm. Gleichgewicht ist die Leerstellenkonzentration gegeben durch: c v =c 0 exp(-E v /k B T) E v : nötige Energie zur Bildung einer Leerstelle z.B. für E v =1 eV bei 1000K ist c v =10 -5 /Atom

15 15 Trapping-Modell E pot freie Zustände Einfachleerstelle λfλf εμ λvλv

16 16 Ratengleichungen dn f /dt = -λ f n f – μc v n f + ε n v + N dn v /dt = -λ v n v + μc v n f – ε n v N: Anzahl der pro Sekunde eingestrahlten Positronen Lösen im Gleichgewicht (dn f /dt =dn v /dt = 0) Bruchteil freier bzw. gebundener Positronen f f bzw. f v

17 17 Lebensdauern Experimentell misst man entweder f f und f v getrennt, indem man die Anteile über die verschiedenen Lebensdauern τ=1/λ unterscheidet oder man misst eine mittlere Lebensdauer τ M : 1/τ M = f f * 1/τ f + f v * 1/τ v Daraus kann man dann E v bestimmen

18 18 Drei Anwendungsmöglichkeiten

19 19 4. Lebensdauermessung Lebensdauer wird als Zeitdifferenz zwischen emittierten γ-Quant (1,27 MeV) aus Probe und γ- Quant (511 keV) aus Annihilation gemessen Aktivität darf nicht zu hoch sein, damit im Mittel nur ein Positron in der Probe ist Minimale Probendicke erforderlich, damit größter Teil der Positronen in der Probe annihiliert γ-Quant wird mit Szintillator-Photomultiplier Anordnung detektiert

20 20 Sandwich-Aufbau

21 21 Experimenteller Aufbau

22 22 Lebensdauer Amplitude ist direkt proportional zur Zeitdifferenz und wird in einem Viel-Kanal- Analysator gespeichert Mehr als 10 6 Ereignisse nötig für ein komplettes Lebensdauerspektrum Lebensdauer auf 1 ps genau, aber nur Lebensdauern über 50 ps überhaupt messbar

23 23 Lebensdauerspektrum

24 24 Datenauswertung 1 Lebensdauerspektrum: N(t) = Σ i=1 k+1 I i /τ i * exp(-t/ τ i ) k: Anzahl der unterschiedlichen Defekte Faltung mit Zeitauflösungsfunktion z.B. Gaußkurve Komponenten erscheinen als Überlagerung von Geraden im halblogarithm. Plot Spektrum enthält zusätzlich Hintergrund und Annihilationen in der Quelle

25 25 Datenauswertung 2 Auswertung erfolgt mit Computer Auflösbarkeit der verschiedenen Komponenten hängt von ihrer Anzahl, ihrem Abstand und Anzahl der Messdaten ab Defekthalbleiter haben meistens diskrete Spektren, aber auch kontinuierliche (z.B. bei Leerstellen- Clustern) sind möglich Auch Methode der max. Entropie möglich Intensität-über-Lebensdauer-Graph

26 26 Intensität über Lebensdauer

27 27 5. Slow-positron-beam Technik Viele Halbleiterprobleme betreffen dünne Schichten und oberflächennahe Defekte man benötigt niederenergetische e + Dies erreicht man durch Moderation Aber: räumliche Trennung von Quelle und Probe dadurch, deswegen muss ein Strahl- Leitsystem benutzt werden

28 28 Moderation Moderation basiert auf negativer Austrittsarbeit für Positronen bei vielen Festkörpern Folie ist viel dünner als mittlere Eindringtiefe v.a. Materialien mit hoher Atomzahl Effizienz: ungefähr Stärkere Quellen nötig, um viele moderierte Positronen zu erzeugen Trennung von unmoderierten und moderierten Positronen vor Experiment nötig

29 29 Moderation

30 30 Strahl-Leitsystem ExB-Filter zur Strahltrennung Hochvakuum reicht aus (10 -5 Pa) Unmoderierte e + werden abgeschirmt Leitsystem auch mit elektrostatischen Linsen möglich, aber aufwendiger für verschiedene Energien

31 31 Strahl-Leitsystem

32 32 Pulsung Zusätzlich Pulsung notwendig, da wegen stärkerer Quelle keine eindeutige Zuordnung zwischen Start- und Stop-γ- Quant möglich ist Monoenergetische Positronen werden im Linearbeschleuniger beschleunigt

33 33

34 34 Prinzip der Messungen Lebensdauermessung in Abhängigkeit von der Positronenenergie Zusätzlich Rückdiffusion bei niedrigen Energien: Anzahl der rückdiffundierten e + abhängig von der Eindringtiefe, der Diffusionskonstante und der Defektdichte, da gefangene e + nicht die Oberfläche erreichen –Man erhält totale Rate für alle Defekte, keine obere Grenze für Bestimmung der Defektdichte –Nachteil: keine Information über Art des Defekts

35 35 Defekt-Tiefenprofil Um das Defekt-Tiefenprofil zu erhalten, muss das Positronen-Eindringtiefen-Profil P(z,E) bekannt sein, Makhov Profil Parameter aus Monte-Carlo-Simulationen

36 36 Positronen-Eindringtiefenprofil

37 37 Defekt-Tiefenprofil Zur Berechnung wird die Probe in Scheiben aufgeteilt, deren Defektdichte und Positronendichte als konstant angenommen wird Annäherung durch Gaußfunktion oder auch Stufenfunktion

38 38

39 39 6. Positronenmikroskop zur Defektanalyse Triftshäuser et al., München, 1997 Wird mit gepulstem Strahl mit variabler Energie betrieben, Lebensdauermessung Durchmesser: 1 μm oder weniger Positronenenergie: 0,5 – 30 keV

40 40 Positronenmikroskop

41 41

42 42 Reemissions- Positronenmikroskop Reemissionsmikroskop nutzt negative Austrittsarbeit bei bestimmten Oberflächen Oberfläche wird Strahl mit einigen keV ausgesetzt, räumliche Verteilung der emittierten Positronen wird gemessen Falls oberflächennahe Defekte vorhanden sind, gibt es ein Minimum Räumliche Auflösung: 2,3 μm, aber durch nicht vorhandene Positronenpunktquellen beschränkt

43 43 Zusammenfassung I Quelle: v.a. 22 Na über β + -Zerfall So viele e + wie möglich sollten in die Probe gelangen e + werden in Defekten gefangen Parameter der Annihilation ändern sich charakteristisch Defekte und ihre Konzentrationen

44 44 Zusammenfassung II Lebensdauer wird als Zeitunterschied zwischen zwei γ-Quanten gemessen Komponenten der verschiedenen Defekte können mit Computerrechnungen getrennt werden Größe des Defekts bestimmt Lebensdauer Defektdichte kann aus der Intensität berechnet werden

45 45 Zusammenfassung III Dünne Schichten und Oberflächen können mit monoenergetischen, langsamen Positronen untersucht werden Pulsung des Strahls notwendig Zusätzlich über Rückdiffusion Aufschluss über Defektdichte

46 46 Literatur Positronen in Halbleiter, Krause-Rehberg Nukleare Festkörperphysik, Prof. Schatz und Prof. Weidinger Der Einfluß von Versetzungen auf die Positronenzerstrahlung, Tobias Wider An improved pulsed low-energy positron system, P. Willutzki et al. The München scanning positron microscope, G. Kögel, SPM-Group

47 47 Bilder Der Einfluß von Versetzungen auf die Positronenzerstrahlung, Tobias Wider:Bilder Seite 5,13,15 An improved pulsed low-energy positron system, P. Willutzki et al.: Bild Seite 33 Bundeswehruniversität München: Bild Seite 41 Bilder Seite 4,6,9,20,21,23,26,29,31,36,38,40http://positron.physik.uni-halle.de/


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