Diplomkolloquium Stefan Polzin

Präsentation zum Thema: "Diplomkolloquium Stefan Polzin"—  Präsentation transkript:

1 Diplomkolloquium Stefan Polzin
Charge Pumping Messplatz

2 Überblick Aufgabenstellung Konzept Charge Pumping Messplatz
Zusammenfassung & Ausblick

3 Einführung Warum Charge Pumping?

4 Einführung Warum Charge Pumping?

5 Einführung Warum Charge Pumping?

6 Überblick Aufgabenstellung Konzept Charge Pumping Messplatz
Zusammenfassung & Ausblick

7 1. Aufgabenstellung „Aufbau eines rechnergestützten Messplatzes
zur Charakterisierung von MOSFETs durch Charge Pumping“ d.h. Einarbeitung in die Theorie Auswahl der Messgeräte Software schreiben Messungen

8 Überblick Aufgabenstellung Konzept Charge Pumping Messplatz
Zusammenfassung & Ausblick

9 3. Konzept des Charge Pumping
Aufbau Signale Rechteck (Trapez) Sägezahn (Dreieck) Sinus

10 3. Konzept des Charge Pumping
Arbeitsbereiche

11 3. Konzept des Charge Pumping
Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0

12 3. Konzept des Charge Pumping
Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max

13 3. Konzept des Charge Pumping
Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max Vbase<Vfb<Vt<Vtop; ICP=ICP,max

14 3. Konzept des Charge Pumping
Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max Vbase<Vfb<Vt<Vtop; ICP=ICP,max Vfb<Vbase<Vt<Vtop; 0<ICP<ICP,max

15 3. Konzept des Charge Pumping
Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max Vbase<Vfb<Vt<Vtop; ICP=ICP,max Vfb<Vbase<Vt<Vtop; 0<ICP<ICP,max Vbase, Vtop>Vt; ICP=0

16 3. Konzept des Charge Pumping
Auftretende Ströme Minoritätsladungsträger zurück nach Source / Drain Minoritätsladungsträger in das Substrat Interface Trapped Charges, nahe Emin, werden emittiert und nehmen an (1) und (2) teil Eingefangende Minoritätsladungsträger mit Majoritätsladungsträgern an Grenzschicht rekombinieren

17 3. Konzept des Charge Pumping
Auftretende Ströme Minoritätsladungsträger zurück nach Source / Drain Minoritätsladungsträger in das Substrat Interface Trapped Charges, nahe Emin, werden emittiert und nehmen an (1) und (2) teil Eingefangende Minoritätsladungsträger mit Majoritätsladungsträgern an Grenzschicht rekombinieren

18 3. Konzept des Charge Pumping
Charge Pumping Kurve

19 3. Konzept des Charge Pumping
Formeln Allg.

20 3. Konzept des Charge Pumping
Formeln Allg.

21 3. Konzept des Charge Pumping
Formeln Allg. Rechteck

22 3. Konzept des Charge Pumping
Formeln Allg. Rechteck Sägezahn

23 3. Konzept des Charge Pumping
Formeln Allg. Rechteck Sägezahn Sinus

24 3. Konzept des Charge Pumping
Vorteil Standardequipment Kurze Messzeiten Direktes Messverfahren Anwendung Bestimmung Interface Trap Density Dit  Qualitäts- und Prozesskontrolle

25 Überblick Aufgabenstellung Konzept Charge Pumping Messplatz
Zusammenfassung & Ausblick

26 4. Messplatz Struktur

27 4. Messplatz Struktur

28 4. Messplatz Struktur

29 4. Messplatz Struktur

30 4. Messplatz Struktur

31 4. Messplatz Struktur Source Gate Drain

32 4. Messplatz Aufbau Variante 2

33 4. Messplatz Software Teilprogramme und Hauptprogramm
Parametereingabe über Panel Code

34 4. Messplatz PAP Hauptprogramm

35 4. Messplatz Programm Code Aufruf

36 4. Messplatz PAP Unterprogramm

37 4. Messplatz Vorteile dieser Programmstruktur Nur einmal Aufsetzen
Keine unterschiedlichen Kontaktbedingungen Mehrere Messungen mit unterschiedlichen Parametern

38 4. Messplatz Messdateien Überblick

39 4. Messplatz Messdatei Frequenz

40 4. Messplatz Messdatei All

41 4. Messplatz bestätigung

42 4. Messplatz Beispielmessungen

43 4. Messplatz Beispielmessungen

44 4. Messplatz Beispielmessungen

45 4. Messplatz Probleme Selector Nadelkarte

46 Überblick Aufgabenstellung Grundlagen Charge Pumping
Konzept Charge Pumping Messplatz Zusammenfassung & Ausblick

47 5. Zusammenfassung & Ausblick
andere Nadelkarte Software Weitere Tests