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Das Siliziumatom Si Jedes Si-Atom besitzt vier Außenelektronen, da Silizium zur 4. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente gehört.

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Präsentation zum Thema: "Das Siliziumatom Si Jedes Si-Atom besitzt vier Außenelektronen, da Silizium zur 4. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente gehört."—  Präsentation transkript:

1 Das Siliziumatom Si Jedes Si-Atom besitzt vier Außenelektronen, da Silizium zur 4. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente gehört.

2 Struktur eines Siliziumkristalls Si Durch Elektronenpaarbindungen mit jeweils vier Nachbaratomen entsteht das Kristallgitter.

3 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur Si Bei Temperaturerhöhung brechen durch die Wärmeschwingungen des Halbleitergitters ständig Elektronenpaar-Bindungen auf. Dadurch entstehen frei bewegliche, negative Ladungen (Elektronen) und positiv geladene Atomrümpfe (Löcher). Der Halbleiter wird daher elektrisch leitfähig.

4 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Legt man nun eine Spannung an den Halbleiter, so bewegen sich die Elektronen zum Pluspol. Es fließt ein Elektronenstrom. Si +-

5 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Legt man nun eine Spannung an den Halbleiter, so bewegen sich die Elektronen zum Pluspol. Es fließt ein Elektronenstrom. +-

6 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Legt man nun eine Spannung an den Halbleiter, so bewegen sich die Elektronen zum Pluspol. Es fließt ein Elektronenstrom. +-

7 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Legt man nun eine Spannung an den Halbleiter, so bewegen sich die Elektronen zum Pluspol. Es fließt ein Elektronenstrom. +-

8 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol … +-

9 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. +-

10 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. +-

11 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. +-

12 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. +-

13 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. +-

14 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. +-

15 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. Es fließt praktisch ein Löcherstrom (positive Ladungen) zum Minuspol. +-

16 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. Es fließt praktisch ein Löcherstrom (positive Ladungen) zum Minuspol. +-

17 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. Es fließt praktisch ein Löcherstrom (positive Ladungen) zum Minuspol. +-

18 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. Es fließt praktisch ein Löcherstrom (positive Ladungen) zum Minuspol. +-

19 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. Es fließt praktisch ein Löcherstrom (positive Ladungen) zum Minuspol. +-

20 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. Es fließt praktisch ein Löcherstrom (positive Ladungen) zum Minuspol. +-

21 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si Weiterhin werden Elektronen durch Wärmeschwingungen freigesetzt, wandern kurz Richtung Pluspol und rekombinieren mit dem nächsten Loch. Es fließt praktisch ein Löcherstrom (positive Ladungen) zum Minuspol. +-

22 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si In einem Halbleiter fließen also sowohl negative Ladungen (Elektronenleitung oder n-Leitung) als auch positive Ladungen (Löcherleitung oder p-Leitung). +-

23 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si In einem Halbleiter fließen also sowohl negative Ladungen (Elektronenleitung oder n-Leitung) als auch positive Ladungen (Löcherleitung oder p-Leitung). +-

24 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si In einem Halbleiter fließen also sowohl negative Ladungen (Elektronenleitung oder n-Leitung) als auch positive Ladungen (Löcherleitung oder p-Leitung). +-

25 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si In einem Halbleiter fließen also sowohl negative Ladungen (Elektronenleitung oder n-Leitung) als auch positive Ladungen (Löcherleitung oder p-Leitung). +-

26 Siliziumkristall bei erhöhter Temperatur und el. Spannung Si In einem Halbleiter fließen also sowohl negative Ladungen (Elektronenleitung oder n-Leitung) als auch positive Ladungen (Löcherleitung oder p-Leitung). +-


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