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Heike Isemann Ferienakademie 2005. Was ist Mikromechanik? Grundlagen Mikrostrukturierung –Silizium-Bulk-Mikromechanik –Oberflächenmikromechanik LIGA-Verfahren.

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Präsentation zum Thema: "Heike Isemann Ferienakademie 2005. Was ist Mikromechanik? Grundlagen Mikrostrukturierung –Silizium-Bulk-Mikromechanik –Oberflächenmikromechanik LIGA-Verfahren."—  Präsentation transkript:

1 Heike Isemann Ferienakademie 2005

2 Was ist Mikromechanik? Grundlagen Mikrostrukturierung –Silizium-Bulk-Mikromechanik –Oberflächenmikromechanik LIGA-Verfahren Mikrosystemtechnik – Beispiel: Beschleunigungssensoren Gliederung:

3

4 Was ist Mikromechanik? Mechanische Bauelemente im µm-Bereich Einsatz von Methoden zur Herstellung aufbauend auf Mikroelektronik Werkstoff hauptsächlich Silizium Dreidimensionale Ausdehnung der Bauteile Mikrosystemtechnik: Integration von elektrischen und mechanischen Bauteilen Hauptanwendungsfeld Sensorik und Aktuatorik

5 Grundlagen Kristallographie: Aspektverhältnis: Verhältnis Strukturhöhe zu Strukturbreite Selektivität: Quotient der Ätzraten zweier Materialen SA:B = RA /RB Grundlagen

6 Ätzen:Isotropie Diffusionsbegrenzung Anisotropie Reaktionsbegrenzung Nasschemisches Ätzen: z.B. HNA-Ätzlösungen (isotrop) KOH-Lösungen (anisotrop) Trockenätzen Grundlagen

7 Grundlagen –HNA: - hydrofluoric acid, nitric acid, acetic acid Flusssäure, Salpetersäure, Essigsäure HF, HNO 3,CH 3 COOH - Ätzstopp an niedrig dotierten n- und p- Schichten - Ätzprozess diffusionslimitiert (isotrop) - geringe Selektivität gegenüber SiO 2 HNO3 oxidiert das Silizium: 3 Si + 4 HNO 3 3 SiO 2 + 4NO + 2 H 2 O HF trägt das Oxid ab: 3 SiO HF 3 H 2 SiF H 2 O Gesamtgleichung: 18 HF + 4 NHO Si 3 H 2 SiF NO + 8 H 2 O Ätzrate HNA-Lösung [µm]

8 Grundlagen –KOH:- Kaliumhydroxid - Als wässrige Lösung mit 20%-50% Gewichtsanteil - Ätzrate reaktionslimitiert - Ätzstopp bei p++-Schicht

9 Grundlagen Ätzstopp Abbruch des Ätzvorgangs an bestimmten Strukturen Vorteile: –Unabhängig von Schwankungen in der Ätzrate durch Temperatur oder Konzentrationsschwankungen –Die Bestimmung des kritischen Zeitpunktes entfällt

10 Grundlagen Chemie des KOH - Ätzens: Während der Oxidation: Injektion von Elektronen aus der Grenzschicht in den Kristall Si + 2OH - Si(OH) e - Anschließende Reduktion verbraucht die Elektronen 4H 2 O + 4e - 4H 2 O - 4H 2 O - 4 OH - + 4H + + 4e - 4OH - + 2H 2 Si(OH) OH - SiO 2 (OH) H 2 O Gesamtbruttogleichung: Si + 2OH - + 2H 2 O SiO 2 (OH) H Entfernung der Elektronen an der Grenzfläche erzeugt Ätzstopp

11 Grundlagen Wie kann man Elektronen entfernen? - p+ Ätzstopp - elektrochemischer Ätzstopp Dotierungsabhängigkeit der Ätzrate Elektrochemischer Ätzstopp

12 Anisotropie der Ätzrate auf der (100)-Oberfläche Grundlagen Wagon wheel

13 Silizum-Bulk-Mikromechanik Silizium-Bulk-Mikromechanik Grundlegende Ätzformen: –Gruben und Gräben –Mesas und Spitzen –Sprungbretter –Membranen –Brücken

14 Silizum-Bulk-Mikromechanik Beispiel: Gruben –(100)-Orientierung des Wafers –Strukturierung der Maskierungsschicht (z.B. SiO 2 ) –Ätzung durch anisotrope Ätzlösung: R (111) << R (100) –Ätzrate reaktionsbegrenzt

15 Oberflächenmikromechanik Oberflächenmikromechanik Techniken zur Herstellung von Mikrostrukturen aus Dünnschichten auf der Oberfläche von Substraten –Polysilizium-Mikromechanik –Opferaluminium-Mikromechanik Keine Veränderungen am Substrat Anwendung der Opferschichttechnik

16 Oberflächenmikromechanik Prozessschritte:

17 Oberflächenmikromechanik –Opferschicht definiert Abstand zwischen Basisschicht und darüber liegenden Dünnschichten – Elektrischer Kontakt und Verankerung der Mikrostrukturschicht durch Öffnungen in der Opferschicht –Mehrfache Wiederholung der Prozessschritte und komplexere Strukturen zu erhalten (Zahnräder, Getriebe, Kurbelwellen,…) –Ätzrate diffusionsbegrenzt

18 Oberflächenmikromechanik Polysilizium-Mikromechanik Mikrostrukturen werden aus Polysilizium gefertigt Polysilizium eines der wichtigsten Materialien der Oberflächenmikromechanik –Kompatibel mit Hochtemperaturprozessen –Einfache Dotierung und Strukturierung Elektrostatischer Mikromotor, hergestellt mit Polysilizium- Mikromechanik

19 Oberflächenmikromechanik Opferaluminium-Mikromechanik SALE Prozess (sacrificial aluminium etching Opferaluminiumätzung Mögliches Ätzmittel: NPA- Lösung (nitric, phosphoric, acetic acids Salpeter-, Phosphor- und Essigsäure) Anwendung: z.B. thermischer Drucksensorstruktur oder Mikrokanal

20 Theoretische Erkenntnisse Warum können solche freitragenden Strukturen nur mit wenigen Aufhängepunkten realisiert werden? Viele physikalische Eigenschaften nehmen nicht mit der Größe ab: Flächen ~ a 2 ; Volumen ~ a 3 Durchbiegen eines Stabes ζ ~ a 2 Oberflächenmikromechanik

21 LIGALIGA VerfahrenVerfahren LIGA-Verfahren

22 Röntgentiefenlitographie- Galvanoformung-Abformung LIGA-Verfahren

23 Einflüsse auf die Strukturqualität Viele Komponenten spielen eine Rolle, u.a. Ungenügende Selektivität des Entwicklers Andere physikalische Effekte –Neigung der Absorber- wände zum Strahl –Erzeugung von Sekundärelektronen –Fresnel-Beugung –Photoelektronen LIGA-Verfahren

24 Galvanische Abscheidung Galvanische Abscheidung: – Überwiegende Verwendung der Nickelgalvanik Vorteil: exakte Abformung und geringe innere Spannungen (Rissbildung) –Verwendung der metallischen Form als Werkstück zur Vervielfältigung möglich Wabenstruktur durch Nickelgalvanik Minimale Strukturbreite 4µm Zum Vergleich: ein menschliche Haar LIGA-Verfahren

25 Kunststoffabformung Möglichkeit der Vervielfältigung für die Massenfertigung durch diverse Verfahren Hohe Anforderungen an Abformwerkzeuge: –Kein Verkanten –Abformung mit Abbildungsgenauigkeit im Submikrometerbereich –Vermeidung von Volumenänderungen beim Aushärten LIGA-Verfahren

26 LIGA-Verfahren 3D-Strukturierung Mit Standart-LIGA-Verfahren sind nur Strukturen mit konstanter Strukturhöhe möglich Gestufte Strukturen können erreicht werden durch: –Belichtung mit zweiter Maske und anderer Strahlungsdosis bzw. Gebrauch eines Absorbers aus zwei verschiedenen Materialien

27 LIGA-Verfahren –Neigung von Maske und Probe um gewünschten Winkel zum Röntgenstrahl –Ausnutzung der Sekundärelektronen für konische Strukturen und Strukturen mit sphärischer Oberfläche

28 Anwendungsbeispiele Anwendungsbeispiele Mikroturbine aus Nickel zur Messung von Gasdurchfluss Durchmesser 130µm Linearaktor Länge 200µm, Breite 50µm Elektrostatischer Mikromotor Rotordurchmesser: 400µm Detailausnahme: gezackte Elektroden, Abstände: 4µm

29 Mikrosystemtechnik Mikrosystemtechnik MEMS – Micro-Electro-Mechanical-Systems Mikromechanischer Drehratensensor für ESP Integration von elektrischen und mechanischen Komponenten in einem Bauteil

30 Sensoren: Bauteil, das neben bestimmten physikalischen oder chemischen Eigenschaften auch die stoffliche Beschaffenheit seiner Umgebung erfassen kann. Aktoren: (Wandler; auch: Aktuatoren) setzen elektronischen Signale in mechanische Bewegung oder andere physikalische Größen (z. B. Druck oder Temperatur) um Mikrosystemtechnik

31 Mikrosystemtechnik Beschleunigungssensor Realisierungsmöglichkeiten Piezoresistiver Beschleunigungssensor Kapazitiver Beschleunigungssensor

32 Mikrosystemtechnik Kapazitiver Beschleunigungssensor Messprinzip

33 Mikrosystemtechnik Herstellung / Funktionsweise Herstellung z.B. mittels Opfelschichtverfahren Elastisch aufgehängte Masse (typ. 0,7µg) Berührungslos verzahnte Struktur von frei beweglicher und befestigten Teilen Finger als Kondensatoren Beschleunigung Positionsänderung der Masse Kapazitätsänderung Spannungssignal

34 Mikrosystemtechnik 2-Achsen Beschleunigungssensor

35 Mikrosystemtechnik Beschleunigungssensor im Automobil: Beispiel ESP ESP enthält die Funktionen von ABS und ASR Erkennung von Bewegung quer zur Fahrtrichtung 25-mal/s Abgleich von gewünschter und tatsächlicher Fahrtrichtung durch Steuergerät Reduzierung der Motorkraft bzw. gezieltes Abbremsen einzelner Räder Drehbewegung Schleuderbewegung

36 Mikrosystemtechnik Kritisches Ausweichmanöver mit und ohne ESP

37 Mikrosystemtechnik Sensoren von Bosch zur Beschleunigungsmessung bei einem Unfall. (Airbag) Rasante Entwicklung der MEMS: Verwendung von Herstellungstechniken ähnlich der der Mikroelektronik Bedienung von Massenmärkten (Automobilindustrie, Tintenstrahldrucker, …)

38 Beispiel Robert Bosch GmbH: Seit zehn Jahren mikromechanische Sensoren im Automobil: bereits mehr als 400 Millionen Sensoren gefertigt! Mikrosystemtechnik Drucksensor Dreiachsiger Beschleunigungssensor

39 Weiterführende Informationen: Literatur: - W. Menz: Mikrosystemtechnik für Ingenieure - A.Heuberger: Mikromechanik Mikrosystemtechnikkongress: – Freiburg

40 Zusatzfolien

41 Röntgentiefenlithographie Synchrotronstrahlung relativistische Elektronen Zentripetalbeschleunigung durch Magnetfeld Kreisbahn scharf gebündelte elektromagnetische Strahlung der beschleunigten Ladung in jeweiliger Flugrichtung (Aufweitung nur 0,1 – 1 mm pro Meter) Spektrum von Infrarot bis in den Röntgenbereich

42 Eigenschaften der Röntgentiefenlithographie Röntgentiefenlithographie Synchrotronstrahlung aus Elektronenspeicherring; typische Energie der Elektronen: 2,5GeV (z.B. ANKA, ELSA, …) Sehr hohes Aspektverhältnis – je nach Struktur bis zu 50 – 500 Strukturhöhen bis zu 3mm Oberflächenqualität im Submikrometerbereich Aber: –Direktbelichtung mit 1:1 Maske –Masken / Bestrahlung sehr teuer

43 Grundlagen Chemie des KOH - Ätzens: Oxidation: OH – -Ionen und Wassermoleküle spielen die zentrale Rolle bei der Reaktion An der Grenzfläche reagieren die Hydroxylionen mit den Si-Atomen Si + 2OH - Si(OH) e - Siliziumkomplex ist bereits vom Kristall isoliert, jedoch aufgrund seiner positiven Ladung noch an den Kristall adsorbiert Die Elektronen werden in das Leitungsband injeziert Reduktion: Die Überschusselektronen reagieren mit den Wassermolekülen, die an der Siliziumoberfläche abgelagert sind 4H 2 O + 4e - 4H 2 O - 4H 2 O - 4 OH- + 4 H + + 4e - 4OH - + 2H 2

44 Dadurch wird ein Aufbau negativer Ladungen im Silizium verhindert Der Wasserstoff führt zur Blasenbildung Der oxidierte Siliziumkomplex ist nicht mehr mit dem Kristall verbunden Jedoch findet elektrostatische Anziehung seiner positiven Ladung von der negativ geladenen Grenzschicht statt Der Siliziumkomplex reagiert mit OH - -Ionen weiter: Si(OH) OH - SiO2(OH) H 2 O Die dabei entstandenen negativen Siliziumkomplexe werden von der negativen Grenzschicht abgestoßen und im alkalischen Medium gelöst: Diffuion in die Lösung Die Gesamtbruttogleichung lautet: Si + 2OH - + 2H 2 O SiO 2 (OH) H 2


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