Reines Halbleitersilizium

Präsentation zum Thema: "Reines Halbleitersilizium"—  Präsentation transkript:

1 Reines Halbleitersilizium
Technologie Silizium (15% der Erde) SiO2 – einer der besten bekannter Isolatoren (GaAs ICs benutzen Si3N4 oder reines GaAs als Isolator) (GaAs – bessere Mobilität, Rauschen, Lichtdioden…) 1022 Atomen freie Elektronen – 1016 Dotierungsatomen in cm3 Si Reines Material wird benutzt (1/ ) 1) Chemische Medoden: Rohsilizium –> HSiCl3 (Trichlorsilan) -> Destillierung -> T -> Si -> (Polykristall - Solarsilizium) Si (Siemens Prozess) 2) Poly Si wird geschmolzen + P-Dotierung. Impfkristall wird in die Schmelze gebracht und unter Drehen hinausgezogen -> Verunreinigungen bleiben in der Schmelze (Stoffe neigen möglichst rein zu kristallisieren) -> Si Kristall (Halbleitersilizium) -> Wafers werden gesägt (Czochralski Prozess) Solar Si 1) 3) Reines Halbleitersilizium HCl 2) HSiCl3 Rohsilizium Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

2 Technologie Front-End Prozesse – Erzeugung von Transistoren
Deponierung von Dotierungssubstanzen, Oxidation, Isolierung von Transistoren Back-End Prozesse – Erzeugung von Metalllagen (Al, Cu), Isolatorlagen (SiO2, Glas), „Via“ Löcher (Wolfram). Photolithographie Schritte: Polymer Photolack wird aufgebracht Stepper wird benutzt: „Reticle“-Dia mit 5X Verkleinerung mittels UV Licht (200 nm) wird projiziert. Photolack wird belichtet, belichtete Stellen härten NaOH wird benutzt, Photolack durch Ätzung entfernt Elektronenstrahllithographie Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

3 Technologie – Implantation von Diffusionswannen
Standard N-Well Prozess mit epi-Lage Wafer (Monokristall) Schritt 1 Epi Lage – ein epitaktisch gewachsene Si Schicht (Monokristall) Schritt 2 Schwachdotierte N- und P-Wannen für P und N-Kanal Transistoren werden erzeugt Maske ist SiO2 Oxidation Nitrid wird aufgebracht Photolack Ätzung. Ionen (P) werden mit 80KV beschleunigt, Ionenimplantation, Dotierung… Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

4 Implantation von Diffusionswannen
UV Licht Ionenimplantation Ätzen Wafer Epi Lage SiO2 Si2N3 Photolack Wafer Epi Lage SiO2 Si2N3 Wafer Epi Lage SiO2 Wafer Epi Lage Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

5 Feldoxid Dickes Oxid (Feldoxid) – Isolierung zwischen Transistoren
Maske: SiO2 + Silizium-Nitrid „LOCOS“: Lokale „feuchte“ Oxidation: Si + 2H2O - > SiO2 + 2H2 (Oberfläche nicht eben) „STI“: Plasma Ätzung – Trench – CVD (Chemical Vapour Deposition) Oxid (benutzt Gas Si(OC2H5)4 ) – Polieren (CMP – Chemical Mechanical Polishing) – ebene Oberfläche – erlaubt mehr Metalllagen. Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

6 Anisotropische Ätzung u. Polieren
Feldoxid H2O Oxidation Anisotropische Ätzung u. Polieren Ätzen SiO2 Si2N3 SiO2 Si2N3 Lack SiO2 Wafer Epi Lage Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

7 Gate Oxid Transistoren (aktive Bereiche) und ohmsche Kontakte sind jetzt isoliert. Der kritischste Schritt – Erzeugung vom Gate – Oxid Trockene thermische Oxidierung (in Sauerstoff Atmosphäre) °C. (Si + O2 -> SiO2) – 7nm Oxid Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

8 Gate Oxid Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs 800° C 02
Oxidation 800° C 02 Epi Lage Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

9 Transistor Ganzflächige Abscheidung von Polysilizium – ( CVD ) (Silan – SiH4). Photolack + Polysilizium wird abgeätzt – Gate Elektroden. Maske deckt die aktive Bereiche ab. Rundumisolierung von Gate Elektroden „spacer“ definiert schwach dotierte Source und Drain As (Arsen) und P (Phosphor) Ionen – n+ Drain, Source, ohmsche Kontakte – Polysilizium Gates dienen als Masken – Prozess ist selbstjustierend (self-aligment) B (Bor) Ionen – p+ Drain, Source, ohmsche Kontakte Thermische Ausheilung – Diffusion von Ionen . Ti wird angebracht – TiSi2 bildet sich am Silizium – SiO2 Oberfläche reagiert nicht – Ti wird abgeätzt – (self aligned silicide) Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

10 Transistor Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs
thermische Ausheilung Ionenimplantation SiH4 Chemische Abscheidung Oxidation Photolack Poly-Silizium P+ Poly Si Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

11 Metallisierung (selbstjustierendes Silizid)
Aufbringen gasförmigen Titans Silizierung (TiSi2) Ätzung Anisotropische Ätzung Poly Si Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

12 Metallisierung SiO2 und Phosphorglas werden angebracht
1) „Via“ Öffnungen werden gemacht 2) und mit Titan und Wolfram aufgefüllt 3) Polieren 4) Aufbringen von Dielektrikum 5) Sputtern von Al oder Cu 6) Metall wird strukturiert 7) Polieren … Passivierung Die letzte Maske – Öffnungen in Passivierung Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs

13 Metallisierung Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs
Strukturierung Aufbringen vom Dielektrikum Sputtern von Al oder Cu Aufbringen von Wolfram Aufbringen von SiO2 und Bor-Phosphor-Silikat-Glas Poly Si Ausgewählte Themen des analogen Schaltungsentwurfs