Diplomkolloquium Stefan Polzin

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 Präsentation transkript:

Diplomkolloquium Stefan Polzin Charge Pumping Messplatz

Überblick Aufgabenstellung Konzept Charge Pumping Messplatz Zusammenfassung & Ausblick

Einführung Warum Charge Pumping?

Einführung Warum Charge Pumping?

Einführung Warum Charge Pumping?

Überblick Aufgabenstellung Konzept Charge Pumping Messplatz Zusammenfassung & Ausblick

1. Aufgabenstellung „Aufbau eines rechnergestützten Messplatzes zur Charakterisierung von MOSFETs durch Charge Pumping“ d.h. Einarbeitung in die Theorie Auswahl der Messgeräte Software schreiben Messungen

Überblick Aufgabenstellung Konzept Charge Pumping Messplatz Zusammenfassung & Ausblick

3. Konzept des Charge Pumping Aufbau Signale Rechteck (Trapez) Sägezahn (Dreieck) Sinus

3. Konzept des Charge Pumping Arbeitsbereiche

3. Konzept des Charge Pumping Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0

3. Konzept des Charge Pumping Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max

3. Konzept des Charge Pumping Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max Vbase<Vfb<Vt<Vtop; ICP=ICP,max

3. Konzept des Charge Pumping Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max Vbase<Vfb<Vt<Vtop; ICP=ICP,max Vfb<Vbase<Vt<Vtop; 0<ICP<ICP,max

3. Konzept des Charge Pumping Arbeitsbereiche Vbase, Vtop<Vfb; ICP=0 Vbase<Vfb<Vtop<Vt; 0<ICP<ICP,max Vbase<Vfb<Vt<Vtop; ICP=ICP,max Vfb<Vbase<Vt<Vtop; 0<ICP<ICP,max Vbase, Vtop>Vt; ICP=0

3. Konzept des Charge Pumping Auftretende Ströme Minoritätsladungsträger zurück nach Source / Drain Minoritätsladungsträger in das Substrat Interface Trapped Charges, nahe Emin, werden emittiert und nehmen an (1) und (2) teil Eingefangende Minoritätsladungsträger mit Majoritätsladungsträgern an Grenzschicht rekombinieren

3. Konzept des Charge Pumping Auftretende Ströme Minoritätsladungsträger zurück nach Source / Drain Minoritätsladungsträger in das Substrat Interface Trapped Charges, nahe Emin, werden emittiert und nehmen an (1) und (2) teil Eingefangende Minoritätsladungsträger mit Majoritätsladungsträgern an Grenzschicht rekombinieren

3. Konzept des Charge Pumping Charge Pumping Kurve

3. Konzept des Charge Pumping Formeln Allg.

3. Konzept des Charge Pumping Formeln Allg.

3. Konzept des Charge Pumping Formeln Allg. Rechteck

3. Konzept des Charge Pumping Formeln Allg. Rechteck Sägezahn

3. Konzept des Charge Pumping Formeln Allg. Rechteck Sägezahn Sinus

3. Konzept des Charge Pumping Vorteil Standardequipment Kurze Messzeiten Direktes Messverfahren Anwendung Bestimmung Interface Trap Density Dit  Qualitäts- und Prozesskontrolle

Überblick Aufgabenstellung Konzept Charge Pumping Messplatz Zusammenfassung & Ausblick

4. Messplatz Struktur

4. Messplatz Struktur

4. Messplatz Struktur

4. Messplatz Struktur

4. Messplatz Struktur

4. Messplatz Struktur Source Gate Drain

4. Messplatz Aufbau Variante 2

4. Messplatz Software Teilprogramme und Hauptprogramm Parametereingabe über Panel Code

4. Messplatz PAP Hauptprogramm

4. Messplatz Programm Code Aufruf

4. Messplatz PAP Unterprogramm

4. Messplatz Vorteile dieser Programmstruktur Nur einmal Aufsetzen Keine unterschiedlichen Kontaktbedingungen Mehrere Messungen mit unterschiedlichen Parametern

4. Messplatz Messdateien Überblick

4. Messplatz Messdatei Frequenz

4. Messplatz Messdatei All

4. Messplatz Emailbestätigung

4. Messplatz Beispielmessungen

4. Messplatz Beispielmessungen

4. Messplatz Beispielmessungen

4. Messplatz Probleme Selector Nadelkarte

Überblick Aufgabenstellung Grundlagen Charge Pumping Konzept Charge Pumping Messplatz Zusammenfassung & Ausblick

5. Zusammenfassung & Ausblick andere Nadelkarte Software Weitere Tests