Bildung von Löchern und Rekombination

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 Präsentation transkript:

Silizium 4. Hauptgruppe => bindet sich an 4 Nachbarn, um Edelgaskonfiguration zu erlangen

Bildung von Löchern und Rekombination

Bildung von Löchern und Rekombination

Einfluss von Wärme ... erhöht die Leitfähigkeit!!! siehe http://82.207.129.240/~ernesti/physik/elektronik/halbleiter/bilder/halbleiter_anim.swf Bei Metallen genau anders herum: Atombewegungen behindern den Elektronenfluss

Zugabe eines Fremdatoms aus der 5. Hauptgruppe (z. B Zugabe eines Fremdatoms aus der 5. Hauptgruppe (z.B. As; bräuchte eigentlich nur 3 Nachbarn) => ?

Zugabe eines Fremdatoms aus der 5. Hauptgruppe (z. B Zugabe eines Fremdatoms aus der 5. Hauptgruppe (z.B. As; bräuchte eigentlich nur 3 Nachbarn) => ein Elektron überflüssig, nahezu frei beweglich

Zugabe eines Fremdatoms aus der 3. Hauptgruppe (z. B Zugabe eines Fremdatoms aus der 3. Hauptgruppe (z.B. B oder In; bräuchte eigentlich 5 Nachbarn) => ?

Zugabe eines Fremdatoms aus der 3. Hauptgruppe (z. B Zugabe eines Fremdatoms aus der 3. Hauptgruppe (z.B. B oder In; bräuchte eigentlich 5 Nachbarn) => ein „Loch“ überflüssig, nahezu frei beweglich

p-n-Übergang Sperrschicht Zwischen einer p-dotierten und einer n-dotierten Halbleiterschicht entsteht durch Rekombination eine Grenzschicht, die arm an freien Elektronen und Löchern ist, in der also freie Ladungsträger fehlen: Sperrschicht siehe: http://82.207.129.240/~ernesti/physik/elektronik/halbleiter/bilder/diode.swf

p-n-Übergang Ein solches Gerät nennt man Diode p-n-Übergang Ein solches Gerät nennt man Diode. Es wirkt wie eine Schleuse

Der Transistor Ein Transistor besteht im Prinzip aus zwei entgegengesetzt geschalteten Dioden. Entlang der C-E-Strecke dürfte also nie ein Stromfluss auftreten, weil je nach Polung der Spannungsquelle immer eine der beiden p-n- Sperrschichten vergrößert würde. Die drei Anschlüsse des Transistors nennt man Collector, Basis und Emitter.

Der Transistor Bei geeigneter Konstruktion ist allerdings eine Spannung zwischen B und E (SQ1) in der Lage, beide Sperrschichten mit Ladungsträgern zu überfluten: Die gesamte C-E-Strecke wird dadurch leitfähig, eine Spannung im Laststromkreis (SQ2) bewirkt einen Stromfluss (IL).

Ein mechanisches Analogon zum Transistor

... und noch einmal ohne Animation: