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Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe R&D zu Siliziumsensoren an zukünftigen Beschleunigeranlagen.

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Präsentation zum Thema: "Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe R&D zu Siliziumsensoren an zukünftigen Beschleunigeranlagen."—  Präsentation transkript:

1 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe R&D zu Siliziumsensoren an zukünftigen Beschleunigeranlagen

2 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Schwerpunkt: Sensor R&D für ILC und SLHC Daten der geplanten Beschleunigeranlagen: International Linear Collider (ILC): Elektron-Positron Beschleuniger Schwerpunktsenergie bis zu 1 TeV Luminosität >10 34 /(cm 2 *s) Bunch timing: 5 Trains pro Sekunde, 2820 bunches pro Train Zeit zwischen Trains: 307 ns Super Large Hadron Collider (SLHC): Proton-Proton Beschleuniger (LHC Upgrade) Schwerpunktsenergie: 14 TeV Luminosität bis zu /(cm 2 *s) Bunch-Crossing: 12.5 ns (75 ns) geplant

3 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Pitchadapter Ausleseelektronik Sensor Trägerstruktur mit Anschlüssen Sensor / Funktionsprinzip CMS Spurdetektor Dioden in Sperrrichtung Strahlung erzeugt Elektronen-Loch- Paare, Ladungen fließen ab CMS: p in n, kapazitive Auslese Produktionsmethoden wie bei ICs

4 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Unterschiedliche Anforderungen an Sensoren und Ausleseelektronik beim International Linear Collider und dem Super Large Hadron Collider. Anforderungen an Si-Sensoren am ILC große Sensorfläche zur Materialeinsparung größere Wafer Materialeinsparung bei mechanischen Trägerstrukturen, Elektronik, Bonds, Pitchadaptern, etc. um Wechselwirkungen zu verhindern dünne Sensoren zur Materialeinsparung Einsparung des Hybriden (Elektronik) durch Integration auf dem Sensor geringer Leistungsverbrauch zur Einsparung von Kühlungsmaterial geringere Strahlenhärte notwendig als bei LHC und SLHC Auswirkungen auf Design der benötigten Auslesechips

5 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Größere Sensorfläche erreichbar durch: Versehen mit neu entwickelter Ausleseelektronik (UMC 180 nm bzw. UMC 130 nm Chip) und Referenzauslesechips (VA1) Beamtests zum Test der Elektronik und für Signal / Rauschen Studien Methoden zur Materialeinsparung - Bau langer Sensormodule aus Streifensensoren - Größere Wafer. Kontakte zur Industrie zur Herstellung eines Sensor- Prototypen aus einem 8 Wafer. (CMS: 6) Sensorleiter aus 10 HPK GLAST-Sensoren. Gebaut in Karlsruhe.

6 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Methoden zur Materialeinsparung - Einsparung des Hybriden: Auslesechip wird direkt durch Bump Bonding auf dem Sensor angebracht. Auslese der Signale auf den Streifen durch Aufbringen einer 2. Metallschicht (Routing). Zugehöriges Maskendesign zur Sensorproduktion mit der professionellen Software IC Station von Mentor Graphics. SID Sensor Ausleseelektronik Pitchadapter

7 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Methoden zum Erzielen geringerer Leistungsaufnahme Geringe Leistungsaufnahme geringe Wärmeproduktion Einsparung von Kühlmaterial weniger Streuung Layout 130 nm Auslesechip (verantwortlich: LPNHE, Paris) V depl : Depletionsspannung d:Dicke Nd : effektive Dotierkonzentration - Dünne Sensoren, denn und I ~ d. Leistung ~ d 3 Minimum: 320µm (CMS). Bei der Industrie in Planung: 200µm bzw. 100µm und weniger. - Kleinere Auslesechips 180 nm-, 130 nm-Technik, möglicherweise 90 nm

8 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Anforderungen an Si-Sensoren für SLHC/SCMS Sehr hohe Strahlenhärte, Belastung ~ 6x höher als bei CMS Hohe Occupancy, Auslesekanäle können einzelne aufeinander folgende Events nicht mehr auflösen schnelle Sensorauslese notwendig hohe Eventrate und Strahlenschäden führen zu höherer Leistungsaufnahme Materialeinsparung

9 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Problem Occupancy CMS: 512 bzw. 768 Streifen, Sensorlänge ~10 cm bzw. ~20 cm, pitch 80 – 200 µm occupancy ~ 2%. Einzelne Ereignisse lassen sich gut auflösen. SCMS: occupancy rund sechs mal größer, Zeit- und Ortsauflösung einzelner Ereignisse nur noch durch neues Sensordesign möglich.

10 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Lösungsmöglichkeit für das Occupancy-Problems Pixelsensoren im inneren Detektorbereich, gefolgt von Strixelsensoren in weiter vom Wechselwirkungspunkt weg gelegenen Bereichen. Anschließend Streifensensoren. Strixel als Stufe zwischen Streifen und Pixel erhöhen Ortsauflösung und vermindern Belegung der einzelnen Kanäle. Karlsruhe plant einen Entwurf eines Designs für einen Strixelsensor in Kooperation mit HEPHY Wien mittels ICStation von Mentor Graphics. In zweiter Metallschicht werden Signale von den Strixel zum Chip geführt.

11 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Problem Strahlenschäden / Strahlenhärte Gitterlücke (L) + Zwischengitterplatz (Z) Frenkel Paar L Z Trapping (e und h) Abnahme der Ladungssammlungseffizienz geladene Defekte Zunahme von N eff, V dep Generationsstrom Zunahme des Leckstroms Einfluss der Defekte auf die Materialeigenschaften Si Teilchen E K > 25 eV Punktdefekte E K > 5 keV Cluster Oberflächendefekte liefern keinen Beitrag bei Zimmertemperatur aufgrund schnellen detrappings. Hierzu tragen vor allem Niveaus in der Mitte der Bandlücke bei. z.B. Donatoren im oberen und Akzeptoren im unteren Bereich der Bandlücke Biasspannung erhöhenKühlung

12 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe strahlenhartes Material: M-Cz Silizium Produktionsprozess führt zu hohem Sauerstoffanteil. Homogene Verteilung. Strahlung erzeugt Schäden die sich wie Akzeptoren verhalten. O wirkt Akzeptorbildung entgegen effektive Dotierkonzentration nimmt nicht so stark zu Depletionsspannung ist proportional zu der effektiven Dotierkonzentration. Depletionsspannung nimmt weniger stark zu Sensor lässt sich auch nach hoher Strahlendosis noch depletieren ohne einen Spannungsdurchbruch zu erzeugen. Material ( cm) [O i ] (cm -3 ) FZ 1– < DOFZ 1– ~ 1– Cz ~ ~ MCz ~ ~ Tiefenprofil O-Konzentration verschiedener Wafer-Materialien Verlauf N eff und Depletionsspannung mit der Fluenz

13 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Siliziumproduktion: Czochralski Silizium (Cz) Entwicklungen in der Industrie führten in neuerer Zeit zu Czochralski Material mit einer für den Sensorbau ausreichenden Reinheit. Ein Silizium Einkristall wird als Impfkristall langsam unter Drehungen aus einer Siliziumschmelze gezogen. Kostengünstiges Produktionsverfahren Gängig in der IC Industrie Intrinsisch höhere O Konzentration Magnetic Czochralski: Ingot befindet sich in starkem Magnetfeld. Magnetfeld dämpft durch Lorentzkräfte Schwingungen in der Schmelze. Konzentration und Verteilung von Sauerstoff können so besser kontrolliert werden als im Standardverfahren. Magnetfeldkein Magnetfeld

14 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Testprogramm für M-Cz Sensoren Bau von Detektormodulen mit APV Auslesehybriden. Bestrahlung bei verschiedenen Fluenzen. Neutronenbestrahlung / Protonenbestrahlung. Testbeam mit Myonen: Vergleich der bestrahlten und unbestrahlten Module bezüglich Signal / Rauschen, Clustering, Ladungssammlungseffizienz, Depletionsspannung, Leckstrom Test auf Typinversion u. A.. an einem Transient Current Technique (TCT) Setup. Module: 1 x Referenzmodul 1 x Fluenz 1*10^14/cm^2 Protonen (neq.) 1 x Fluenz 5*10^14/cm^2 Protonen (neq.) 1 x Fluenz 10^15/cm^2 Protonen (neq.) 1 x Fluenz 5*10^14/cm^2 Neutronen (neq.) 1 x Fluenz 10^15/cm^2 Neutronen (neq.) Beamteleskop (8 Referenzsensoren in Kältebox)

15 Maria Laach, September 07 Martin Frey, IEKP, Karlsruhe Ausblick Für SILC (Silicon for Linear Collider) wird gerade ein Beamtest vorbereitet. Test von 180nm- und 130nm-Chip-Prototypen. Test verschiedener Module. Beamtest zur Untersuchung von M-Cz Silizium ging vor zwei Wochen zu Ende. Daten müssen ausgewertet werden. Erste Einblicke deuten auf ein sehr gutes Verhalten des Materials hin. Auswertung von gemischt bestrahlten (n+p) Minisensoren. Neue Sensoren in Produktion am Helsinki Institut für Physik. Weitere Tests geplant.


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