Elektronik Lösungen.

Präsentation zum Thema: "Elektronik Lösungen."—  Präsentation transkript:

1 Elektronik Lösungen

2 2 Halbleiterdiode

3 2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode

4 2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode

5 2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode
Bereits im Herstellungsprozess der Diode rekombinieren im Grenzbereich von n-Schicht und p-Schicht kurzzeitig freie Elektronen und Defektelektronen (Löcher). Diese Sperrschicht (Rekombinationsschicht) ist zwar nur ca. 1/10mm stark, kann aber von weiteren beweglichen Ladungsträgern der beiden Halbleiter-Schichten zunächst nicht überwunden werden. Die Diode hat dabei einen verhältnismäßig hohen elektrischen Widerstand.

6 2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode

7 2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode
Der Pluspol der Stromquelle saugt einige Elektronen aus der n-Schicht ab und der Minuspol der Stromquelle "presst" gleichzeitig einige Elektronen in die p-Schicht, die in Rekombinationssprüngen zur Sperrschicht wandern (Sogwirkung des Pluspols) und die Sperrschicht noch weiter verbreitern. Der el. Widerstand der Diode hat sich dadurch vergrößert. Die Diode ist in Sperr-Richtung geschaltet.

8 2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode

9 2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode
Der Pluspol der Stromquelle saugt Elektronen aus der Sperrschicht ab, der Minuspol "presst" Elektronen in die n-Schicht. Ab der Durchbruchspannung (Schwellenwert) von ca. 0,7 Volt ist die Sperrschicht vollständig aufgelöst. Elektronen wandern dann vom n-Anschluß in Rekombinationssprüngen durch die n-Schicht und die p-Schicht zum p-Anschluß der Diode. Der elektrische Widerstand der Diode ist dabei sehr gering geworden. Die Diode ist in Durchlaßrichtung geschaltet.