Die Präsentation wird geladen. Bitte warten

Die Präsentation wird geladen. Bitte warten

4.1 Anforderungen 4.1 Speicherzellen 4.3 SRAM, DRAM 4.4 Caches

Ähnliche Präsentationen


Präsentation zum Thema: "4.1 Anforderungen 4.1 Speicherzellen 4.3 SRAM, DRAM 4.4 Caches"—  Präsentation transkript:

1 4.1 Anforderungen 4.1 Speicherzellen 4.3 SRAM, DRAM 4.4 Caches
TexPoint fonts used in EMF. Read the TexPoint manual before you delete this box.: AAAAAA

2 Prinzipieller Aufbau eines Rechners
Bestandteile: Prozessor (CPU) Hauptspeicher Externe Speicher Eingabegeräte (Tastatur, Maus) Ausgabegeräte (Bildschirm, Drucker, Plotter) Busse Prozessor (CPU) System-Bus Haupt- speicher Ein-/Ausgabe-Geräte, externe Speicher, externe Kommunikation Kap. 4.1

3 4.1 Anforderungen an Speicher
so schnell wie Prozessor – sonst muss der Prozessor warten, so groß, wie jede vorstellbare Anwendung verlangt, - sonst können manche Anwendungen nicht auf dem Rechner realisiert werden, so dauerhaft (persistent), wie es die Daten verlangen – sonst droht Verlust, und bezahlbar. Anforderungen liegen teilweise miteinander im Konflikt: schnelle Speicher sind nicht billig, beliebig große Speicher sind nicht bezahlbar, dauerhafte Speicherung kostet Zeit und Energie. Kap. 4.1

4 Von Schaltkreisen zu Schaltwerken (mit Speichern)
Bisher wurden nur kombinatorische Schaltkreise betrachtet; dabei war G azyklisch. Was geschieht, wenn G nicht azyklisch ist? ? x1 y1 G1 kein stabiler Zustand! Schaltpläne, Schaltungen Schaltungen dieser Art werden benötigt, um speichernde Elemente zu definieren! Kap. 4.1

5 Überblick Im folgenden werden Schaltwerke behandelt.
Sie enthalten Flip-Flops. Es gibt eine Trennung zwischen Schaltkreisen und speichernden Elementen. Jeder Zyklus in Schaltwerk enthält Flip-Flop. Der Zustand eines Schaltwerkes ist gegeben durch die in den Flip-Flops gespeicherten Werte Schaltwerke realisieren endliche Automaten. Sie werden benutzt z.B. als Kontrolllogik im Steuerwerk für die Interpretation von Befehlen. Kap. 4.1

6 Definition: Schaltwerke
Aufteilung eines synchronen Schaltwerks in Schaltnetz und speichernde Elemente: yit = fi(x1t, x2t, ..., xkt, s1t, s2t, ...spt) sit+1 = gi(x1t, x2t, ..., xkt, s1t, s2t, ...spt) Schaltnetz x1t xkt y1t ymt Clk Speicher s1t s2t spt s1t+1 s2t+1 spt+1 Kap. 4.1

7 Die Physik digitaler Schaltungen
Versorgungsspannung VCC und zwei Spannungen, VIL und VIH, zur Repräsentation der logischen Werte 0 und 1 an den Eingägen von Gattern: Ebenso an den Ausgängen: Wird der Ausgang u mit dem Eingang v verbunden, so sollte gelten: Eingangspegel Kap. 4.1

8 Signalverläufe Puls VIH physikalisch VIL 1 logisch undefiniert VCC
VCC VIH VIL physikalisch 1 logisch undefiniert Kap. 4.1

9 Spike-freies Umschalten
x2 y x1 1 Umschalten von X1 = 1, X2 = 0, Y = 0 auf X1 = 0, X2 = 1, Y = 0, ohne dass zwischendurch Y auf 1 steigt. Kap. 4.1

10 Übergang im RS-Flip-Flop
Setzen des Flip-Flops (stabiler) Zustand Q = 0 ) (stabiler) Zustand Q = 1: 1 ) 0 /S ) 1 ) 1 G1 Q 1 ) 0 /S und /R durch Absenken aktiviert: “active low” ) 1 1 ) 0 G2 /Q /R 1 Senke /S zur Zeit t0 ab und hebe zu t0 + x wieder an (einen solchen Signalverlauf nennt man Puls ) Nach Zeit tP/SQ ist Q = 1. Schaltung mit zwei stabilen Zuständen, geeignet, um 1 Bit zu speichern. Nach Zeit tP/S/Q ist /Q = 0. Wähle x so, dass kein Spike entsteht! Kap. 4.1

11 RS-Flip/Flop, Aufbau und Funktion
Zustand 1 C1 hoch, C2 tief T1 und T4 ein, T2 und T3 aus Zustand 0 C2 hoch, C1 tief T2 T3 ein, T1 T4 aus Address line Transistoren T5 und T6 schalten zusammen Schreibe – lege Wert auf B & Komplement auf B’ Lese – Wert ist auf Eingang B Kap. 4.1

12 D-Latch /S /R Q /Q RS-FF W D Symbol: W D Q /Q W active high
erlaubt Speichern eines ankommenden Datensignals D durch einen Puls (Interval zwischen Senken und Heben) an W /S /R Q /Q RS-FF W D Symbol: W D Q /Q W active high Kap. 4.1

13 Taktflankengesteuertes D-Flipflop
Steuerung durch eine Flanke eines Signals (Clock) Symbol: D-FF D Q CK Clockeingang Kap. 4.1

14 n-Bit-Register CK D Q D-FF CK D Q D-FF CK D Q D-FF D0 Q0 D1 Q1 Dn-1
Qn-1 CK n-Reg n n D Q Schaltsymbol CK Kap. 4.1

15 Aufbau eines n-Bit-Zählers
/C clear, /L load, X Eingabe, Y Ausgabe X CK D Q n-Reg n n-INC /C Cout Cin /L Y Kap. 4.1

16 Random Access Memory (RAM)
Charakteristiken: lineares Feld von Speicherzellen einzelne Zelle selektierbar durch Adresse (dies hat ihm den Namen gegeben, gilt aber für die anderen Speicherarten auch!) Lesen und Schreiben möglich (macht eigentlich den Unterschied aus!) ist volatil, d.h. verliert seine gespeicherten Werte und ist deshalb nur als Zwischenspeicher verwendbar. Kap. 4.1

17 Schaltbild eines SRAMs (ein einzeln adressiertes Bit)
A Adresse, W write, Din Dateneingabe, Dout Datenausgabe Dn Dekodierer, ON Oder Dn A ON Dout G0 Gi GN-1 Qi Din W FN Wi D Q W‘ Y0 YN-1 Yi D‘ n N D-Latch Kap. 4.1

18 Statisches RAM, SRAM Bits als Zustände/Schalter gespeichert
ohne Verlust von Ladung keine Auffrischung benötigt komplizierter zu bauen größer pro Bit teurer schneller gebraucht für den Cache digital benutzt Flip-Flops Kap. 4.1

19 Dynamisches RAM, DRAM Bits als Ladung in Kondensatoren gespeichert
verlieren Ladung brauchen deshalb Auffrischung (refresh) einfacher zu bauen kleiner pro Bit billiger langsamer gebraucht für Arbeitsspeicher im Wesentlichen analog - Ladungsniveau bestimmt Wert Kap. 4.1

20 Dynamic RAM - Struktur und Funktion
Address line aktiv, wenn Bit gelesen oder geschrieben, Transistor schaltet (Strom fließt) Schreiben Spannung auf der bit line hoch für 1, tief für 0 Signal auf address line transferiert Ladung zum Kondensator Lesen Ladung des Kondensators wird zur bit line und zu einem Leseverstärker transferiert vergleicht mit Referenzwert, um 0 or 1 zu bestimmen Kondensatorladung muss aufgefrischt werden Kap. 4.1

21 Vergleich SRAM, DRAM beide volatil Dynamische Speicherzelle
es muss Energie aufgewendet werden, um Daten zu erhalten Dynamische Speicherzelle einfacher zu bauen und kleiner dichter billiger braucht refresh kann in größere Einheiten gepackt werden Statische RAM schneller nur für Cache Kap. 4.1

22 Read Only Memory (ROM) Permanenter Speicher Gebraucht für
Nicht volatil Gebraucht für Microprogrammierung Bibliotheksfunktionen Systemprogramme (BIOS) Funktionstablellen Kap. 4.1

23 Typen von ROM Beschrieben bei der Herstellung Programmable (once)
teur für kleine Produktionschargen Programmable (once) PROM brauchen spezielle Programmiergeräte Read “mostly” Erasable Programmable (EPROM) gelöscht durch UV-Bestrahlung Electrically Erasable (EEPROM) braucht viel länger zu schreiben als zu lesen Flash memory elektrisches Löschen des ganzen Speichers Kap. 4.1

24 Organisation im Detail
Kritischer Parameter: wieviel Bits können auf einmal gelesen bzw. geschrieben werden Alternativen: Ein 16Mbit Chip kann organisiert sein als 1M von 16 Bit-Wörtern – wie in der Abstraktion der ISA Ein 1-Bit-pro-Chip System hat 16 1Mbit Chips mit Bit 1 jedes Worts in Chip 1 usw. Ein 16Mbit Chip kann z.B. als ein 2048 x 2048 x 4Bit Matrix organisiert sein (4 Bits auf einmal gelesen/geschrieben) Reduziert die Zahl der Adress-Pins Multiplexing von Zeilen-Adresse und Spalten-Adresse 11 Pins, um (211=2048) zu adressieren Mit einem weiteren Pin doppelter Wertebereich, also x4 Kapizität Kap. 4.1

25 Typischer 16 Mb DRAM (4M x 4) Kap. 4.1

26 Datenpfade der CPU - graphisch
ALU PC IN1 IN2 ACC I 032 DI D A L R ALUDId 0Ld PCLd IN1Ld IN2Ld ACCLd PCAd DDId ALUAd ACCDd 0Rd IRd DRd IAd Kap. 4.1

27 Einfluss des Speichers auf die Ausführungsgeschwindigkeit
Viel Verkehr auf dem Bus! Ausführung eines Programms Prozessor Geschwindkeits- unterschied ist fatal, etwa 100:1! 5 Load a Load a 2 2 a b x Speicher Load a Load b Add Store x Load b Load b 3 3 Add Add Store x Store x Kap. 4.1

28 Lösung des Problems: Caches
Prozessor Schneller Zwischenspeicher zwischen Prozessor und (Haupt-) Speicher Transport dauert ~ 1 Zyklus schnell, klein, teuer Cache Transport dauert ~ 100 Zyklen Bus (relativ) langsam, groß, billig Speicher Kap. 4.1

29 Caches Statische RAM-Speicher sind schnell aber teuer,
dynamische RAM-Speicher sind billig aber langsam. kleinen Cache in SRAM-Technologie auf Chip + großen Speicher in DRAM-Technologie Vorteil: wegen lokalen Zugriffsverhaltens der Programme im Durchschnitt schneller Zugriff Nachteil: hohe Schwankungsbreite für Zugriffszeiten Für Echtzeitsysteme: korrekte und präzise Analysen der Zugriffszeiten notwendig Kap. 4.1

30 Caches Adreßbus CPU DRAM Speicher Cache- Control Datenbus In der Regel besitzt ein Rechner einen getrennten Cache für Instruktionen (Instruktionscache) und für Daten (Datencache). Er kann durch ein Anwendungsprogramm nicht explizit adressiert werden. Er ist software-transparent, d.h. der Benutzer braucht nichts von seiner Existenz zu wissen. Kap. 4.1

31 Befehle/Adressen/./Operanden
Speicher Funktion – Aufbewahrung für Programme und Daten Organisation – meist eine “Hierarchie” oben Besitzer/Verwalter Größe Inhalte/Struktur schnell, klein CPU-Register Cache Befehle/Adressen/./Operanden Programm 1-8 Bytes Cache Controller Blöcke 8-128 Bytes Speicher Seiten Betriebssystem 512-4K bytes Festplatte Dateien Bnutzer/Operator Mbytes langsam, groß Band Kap. 4.1 unten


Herunterladen ppt "4.1 Anforderungen 4.1 Speicherzellen 4.3 SRAM, DRAM 4.4 Caches"

Ähnliche Präsentationen


Google-Anzeigen