Technologie - Anlagentechnik - Anwendung

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1 Technologie - Anlagentechnik - Anwendung
Photovoltaik Technologie - Anlagentechnik - Anwendung Vorlesung in den Studiengängen EVS/TGA SS 2006 Dr. Karl Molter FH Trier

2 Inhalt Kurze Physik der Solarzelle Photovoltaik-Technologien
Photovoltaik Anlagentechnik Photovoltaik: Gebäudeintegration SS 2006 REND Dr. Karl Molter

3 1. Kurze Physik der Solarzelle
Der photovoltaische Effekt und die Solarzelle Ladungstrennung: Der p/n-Übergang Solarzellen-Kennlinien SS 2006 REND Dr. Karl Molter

4 Historie 1839: Entdeckung des lichtelektrischen Effekts durch Bequerel
1873: Entdeckung des fotoelektrischen Effekts bei Selen 1954: Erste Silizium Solarzelle im Zuge der Entwicklung der Halbleitertechnologie ( = 5 %) SS 2006 REND Dr. Karl Molter

5 Der photovoltaische Effekt und die Solarzelle
Absorption von Licht im Festkörper h Wirksame Trennung der Ladungsträger - + Erzeugung freier Ladungsträger Ergebnis: verschleißlose Erzeugung elektrischer Energie unter Verwendung von Solarstrahlung SS 2006 REND Dr. Karl Molter

6 Energiezustände in Festkörpern: Bänderschema
Atom Molekül • • • • • Energieniveaus SS 2006 REND Dr. Karl Molter

7 Energiezustände in Festkörpern: Isolator
Elektronenenergie Leitungsband Bandlücke EG (> 5 eV) Fermi- niveau EF Valenzband SS 2006 REND Dr. Karl Molter

8 Begriffe: Ferminiveau EF: Grenze zwischen besetzten und
unbesetzten Niveaus bei T = 0 K; Valenzband: höchstes Energieband unterhalb des Ferminiveaus, bei T = 0 K voll besetzt, die Elektronen sind örtlich fest gebunden Leitungsband: nächsthöheres Energieband, die Elektronen sind delokalisiert; Bandlücke EG: Abstand zwischen Valenzband und Leitungsband SS 2006 REND Dr. Karl Molter

9 Energiezustände in Festkörpern: Metall/Leiter
Elektronenenergie Fermi- niveau EF Leitungsband SS 2006 REND Dr. Karl Molter

10 Energiezustände in Festkörpern: Halbleiter
Elektronenenergie Leitungsband Fermi- niveau EF Bandlücke EG ( 0,5 – 2 eV) Valenzband SS 2006 REND Dr. Karl Molter

11 Elektronenenergie Beim absoluten Nullpunkt nehmen alle Elektronen den niedrigst möglichen Energiezustand an. Sie können nun zwei Arten von Energie aufnehmen: Thermische Energie kT (k = Boltzmannkonstante, 1.381x10-23 J/K, T = absolute Temperatur in Kelvin) Lichtquanten h (h = Plancksches Wirkungsquantum, 6.626x10-34 Js,  = Frequenz des Lichtquants in s-1. Wenn der aufgenommene Energiebetrag reicht, können die Elektronen die Bandlücke überwinden und vom Valenzband in das Leitungsband gelangen: SS 2006 REND Dr. Karl Molter

12 Energiezustände in Festkörpern: Energieaufnahme / -abgabe
Elektronenenergie Leitungsband + - h Generation + - h Rekombination x EF Valenzband SS 2006 REND Dr. Karl Molter

13 Energiezustände in Festkörpern physikalische Eigenschaften:
Thermisch: Je größer die Bandlücke, desto geringer die Leitfähigkeit. Mit steigender Temperatur sinkt der elektrische Widerstand (Heißleiter) Optisch: Je größer die Bandlücke, desto geringer ist die Absorption von Lichtquanten (farbiges oder transparentes Material). Mit steigender Beleuchtung sinkt der elektrische Widerstand (Photowiderstand) SS 2006 REND Dr. Karl Molter

14 Halbleiter Zur Schaffung einer internen Barriere, die eine Trennung positiver und negativer Ladungsträger ermöglicht und die Rekombination verhindert, greift man auf das Prinzip der Dotierung von Halbleitern zurück: IIIB IVB VB Unter Dotierung versteht man die Substitution von Gitteratomen des Kristalls durch Fremdatome mit anderer Wertigkeit. Das Halbleitermaterial ist i.A. vierwertig (z.B. Silizium). Dotiert wird beispielsweise mit Bor oder Phosphor: B 5 Si 14 P 15 SS 2006 REND Dr. Karl Molter

15 N - Dotierung Kristall Bandschema Si P+ Leitungsband Freie Elektronen
Valenzband EF - P+ Freie Elektronen Donator Niveau Bandschema Si - - P+ n-leitendes Silizium SS 2006 REND Dr. Karl Molter

16 P - Dotierung Bandschema Kristall Si B- Leitungsband EF
Valenzband EF B- „Freie“ Löcher Akzeptor Niveau + Bandschema Kristall Si + B- + p-leitendes Silizium SS 2006 REND Dr. Karl Molter

17 Der unbeleuchtete p/n-Übergang
Bandschema Raumladungs- oder Feldzone p - Gebiet EF B- + n - Gebiet - P+ - Diffusion + Diffusionsspannung + - Ed Ud + - SS 2006 REND Dr. Karl Molter

18 Der beleuchtete p/n-Übergang
Bandschema (Absorption im p-Gebiet) E = h Raumladungs- oder Feldzone Photostrom - Ud - - - - - P+ P+ P+ P+ P+ EF B- B- B- B- B- + + + + + + Ed + - p - Gebiet n - Gebiet Diffusionsspannung SS 2006 REND Dr. Karl Molter

19 Der beleuchtete p/n – Übergang Kristall
- + p-Silizium - + + - - + elektrisches Feld E + - Diffusion n-Silizium Raumladungszone SS 2006 REND Dr. Karl Molter

20 Aufbau einer Si Solarzelle
Vorderseitenkontakt - + hn Antireflex- Beschichtung n-Gebiet p-Gebiet ~0,2µm ~300µm metallisierte Rückseite Raumladungszone SS 2006 REND Dr. Karl Molter

21 Ersatzschaltbild einer Solarzelle
USG RS ISG Strom- quelle IPH ID UD RP RL UL IL IPH: Photostrom der Solarzelle ID /UD: Strom und Spannung an der internen p-n Diode RP: paralleler Verlustwiderstand aufgrund Oberflächenin- homogenitäten und Verlustströmen an den Kanten der Solarzelle RS: serieller Verlustwiderstand aufgrund des Bahnwiderstands der Siliziumscheibe, der Kontakte und Anschlüsse ISG/USG: Solargeneratorstrom und -spannung RL/IL/UL: Lastwiderstand, Spannung und Strom Es gilt: ISG = IL, USG = UL SS 2006 REND Dr. Karl Molter

22 Idealisierte Kennlinie einer Solarzelle
UD Diodenkennlinie ID RL=0 RL=  U0 vereinfachtes Schaltbild ID ID ISG RL UD=USG UMPP MPP IMPP MPP = Maximum Power Point ISG / PSG USG Solargenerator- kennlinie Lastwiderstand ISG = I0 = IK Leistung SS 2006 REND Dr. Karl Molter

23 charakteristische Eigenschaften einer Solarzelle
Kurzschlußstrom ISC, I0 oder IK: In weiten Grenzen proportional zur Einstrahlung Steigt um ca. 0,07% pro Kelvin Temperaturanstieg. Leerlaufspannung U0, UOC oder VOC: Entspricht Spannung über interner Diode Steigt rasch mit zunehmender Einstrahlung typische Werte für Si: 0,5...0,9V Sinkt um ca. 0,4% pro Kelvin Temperaturanstieg. SS 2006 REND Dr. Karl Molter

24 charakteristische Eigenschaften einer Solarzelle
Leistung (MPP, Maximum Power Point) UMPP » (0, ,9) UOC IMPP » (0, ,95) ISC Die Leistung sinkt um ca. 0,4% pro Kelvin Temperaturanstieg Die Nennleistung einer Solarzelle wird bei international festgelegten Testbedingungen (G0 = 1000 W/m2, TZelle = 25°C, AM 1,5) gemessen und in WP (Watt peak) angegeben. SS 2006 REND Dr. Karl Molter

25 charakteristische Eigenschaften einer Solarzelle
Der Füllfaktor (FF) einer Solarzelle ist definiert aus dem Quotienten von PMPP und dem Produkt aus Kurzschlussstrom IK und Leerlaufspannung U0 FF = PMPP / U0  IK Der Wirkungsgrad  einer Solarzelle ist das Verhältnis der auf die Vorderseite auftreffenden Strahlungsleistung AGG,g zur von der Zelle abgegebenen elektrischen Leistung PMPP:  = PMPP / AGG,g SS 2006 REND Dr. Karl Molter

26 Solarzellen Kennlinien (cSi)
P = 0,88W, (0,18) P = 1,05W, (0,26) P = 1,00W, (0,18) SS 2006 REND Dr. Karl Molter

27 Kennlinienfeld einer Solarzelle
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28 2. Photovoltaik-Technologien
Ausgangsmaterialien Technologien Marktanteile und Marktentwicklung SS 2006 REND Dr. Karl Molter

29 Ausgangsmaterialien Si Silizium (Si) Ge Germanium (Ge) Ga As
Definition eines Halbleiters: Ausschlaggebend ist die Elektronenkonfiguration im Festkörper Si 14 Silizium (Si) Ausschnitt aus der Periodentafel Ge 32 Germanium (Ge) IIB IIIB IVB VB VIB IB Ga 31 As 33 Gallium-Arsenid (GaAs) Al 13 Sb 51 Aluminium-Antimon (AlSb) P 15 In 49 Indium-Phosphor (InP) Kupfer, Indium, Gallium, Selen (CIS) Cu 29 Se 34 In 49 Ga 31 Cd 48 Te 52 Cadmium-Tellurid (CdTe) SS 2006 REND Dr. Karl Molter

30 Wirkungsgrade verschiedener Solarzellentypen (Theorie / Labor)
SS 2006 REND Dr. Karl Molter

31 Technologische Bewertungskriterien
Ein gutes Potenzial für einen hohen Wirkungsgrad Verfügbarkeit der benötigten Materialien Akzeptable Preise für die Materialien Potential für kostengünstige Herstellungsverfahren Stabilität der Eigenschaften über Jahrzehnte Umweltverträglichkeit der Materialien und Herstellungsverfahren SS 2006 REND Dr. Karl Molter

32 Bewertung Monokristallines Silizium:
Produktionswirkungsgrad % (>23% im Labor) großer Materialeinsatz nötig Preis für Rohsilizium schwankend ausgereifte Herstellungsverfahren,aber energieintensiv, Verbilligung durch EFG und Bänder-Technologie Hohe Langzeitstabilität Material umweltverträglich z.Zt. zweitgrößter Marktanteil                     SS 2006 REND Dr. Karl Molter

33 Bewertung Multikristallines Silizium:
Produktionswirkungsgrad % großer Materialeinsatz nötig Preis für Rohsilizium schwankend ausgereifte Herstellungsverfahren,weniger energieintensiv als mono-Si Hohe Langzeitstabilität Material umweltverträglich z.Zt. größter Marktanteil SS 2006 REND Dr. Karl Molter

34 Bewertung amorphes Silizium (a-Si):
Produktionswirkungsgrad 6 – 8% Dünnschichttechnologie (<1µm), geringer Materialbedarf Preis für Rohsilizium schwankend Ausgereiftes, kostengünstiges Herstellungsverfahren garantierte Langzeitstabilität nur für Wirkungsgrade von 4 – 6% Material umweltverträglich SS 2006 REND Dr. Karl Molter

35 Bewertung Kupfer, Indium, Diselenid (CIS)
Produktionswirkungsgrade 11 – 14% Dünnschichttechnologie (<1µm), geringer Materialbedarf Herstellung grossflächiger Module in einem Schritt gute Langzeitstabilität Materialien nicht unbedenklich (Se, geringe Mengen Cd) SS 2006 REND Dr. Karl Molter

36 Bewertung GaAs, CdTe und andere
Produktionswirkungsgrade teils bis 18% Relativ exotische Ausgangsmaterialien Teils sehr hohe Materialpreise Herstellungsverfahren in vielen Fällen noch nicht grosserientauglich Langzeitstabilität noch nicht umfassend getestet Materialien nicht unbedenklich (insbesondere As, Cd) SS 2006 REND Dr. Karl Molter

37 Herstellungsverfahren
1. Silizium Wafertechnologie (mono- oder multikristallin) Reinstsilicium % SiO2 + 2C = Si + 2CO Schmelzen / Kritallisieren Vorkommen: Siliziumoxid (SiO2) = Quarzsand Säulenherstellung Mechanisches Schneiden Dicke ca. 300µm Minimale Dicke: ca. 100µm Scheibenherstellung Typische Wafergrösse: 10 x 10 cm2 Link zu Herstellerfirmen Silizium Wafer Scheibenreinigung Qualitätskontrolle Wafer SS 2006 REND Dr. Karl Molter

38 Herstellungsverfahren mono- oder multikristallines Si
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39 Herstellungsverfahren
Silizium Band-Ziehverfahren EFG: Edge-definded Film-fed Growth Weniger energieintensiv als Kristallziehverfahren Dicke: ca. 100µm Weniger Si Abfall, da kein Sägen notwendig SS 2006 REND Dr. Karl Molter

40 Herstellungsverfahren
Dünnschichtverfahren (CIS, CdTe, a:Si, ... ) Halbleitermaterialien werden grossflächig aufgedampt Dicke: ca. 1µm Flexible Unterlage möglich Weniger energieintensiv als Si Verfahren Geringer Materialverbrauch Typische Produktionsgrösse: 1 x 1 m2 CIS Module SS 2006 REND Dr. Karl Molter

41 Entwicklungstrends Dünnschichttechnologie Wirkungsgradverbesserung
Geringer Materialverbrauch Flexible Zellen Fertigung großflächiger Module in einem Schritt Wirkungsgradverbesserung Tandemzellen zur besseren Ausnutzung des Sonnenspektrums Light Trapping, Verbesserung der Absorptionseigenschaften Transparente Kontaktierung Beidseitig nutzbare Zellen (bifacial cells) SS 2006 REND Dr. Karl Molter

42 Tandem-zelle Schema einer Multispektralzelle auf der Basis der Chalkopyrite Cu(In,Ga)(S,Se)2 SS 2006 REND Dr. Karl Molter

43 Dünner Si-Wafer SS 2006 REND Dr. Karl Molter

44 Energierückzahlzeit (energy payback time (EPBT)
SS 2006 REND Dr. Karl Molter

45 Marktanteile SS 2006 REND Dr. Karl Molter

46 Solarzellen-Hersteller
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47 Weltweit installiert PV-Leistung
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48 In Deutschland installierte PV-Leistung
SS 2006 REND Dr. Karl Molter

49 Kosten PV-Module Lernkurve: Kosten pro Wp über kumulierter produzierter Leistung
Stand Ende 2003 SS 2006 REND Dr. Karl Molter

50 3. PV Anlagentechnik PV Systemtechnik Strahlungsangebot Erträge
Baurechtliche Aspekte SS 2006 REND Dr. Karl Molter

51 PV Module Serienschaltung einzelner Zellen zur Erzielung höherer Spannungen: PV-Modul Typische Leerlaufspannung bei 36 Zellen: 36 * 0,7V = 25V Problem: Ausfall einzelner Zellen durch Verschattung oder Defekt beeinträchtigt alle Zellen der Serie! SS 2006 REND Dr. Karl Molter

52 PV Module Verknüpfung von Solarzellen :
Bypass-Dioden zum Schutz einzelner Zellen oder Zellenstränge: SS 2006 REND Dr. Karl Molter

53 Aufbau eines netzgekoppelten PV-Systems
Solar- Generator Schutz- Diode Wechsel- richter DC AC Ver- brau- cher Wechsel- Strom Netz Grid Das Netz übernimmt die Funktion des Energiespeichers Bei Ausfall des Netzes (Grid) muss der Wechselrichter den Solargenerator automatisch vom Netz nehmen (Automatische Netzfreischaltung ENS) SS 2006 REND Dr. Karl Molter

54 Wechselrichterkonzepte
= ~ … zentral = ~ … modulintegriert = ~ … stringorientiert … = ~ multistringorientiert Netz SS 2006 REND Dr. Karl Molter

55 Aufbau eines PV-Inselsystems Wechselspannungsverbraucher
Solar- Generator Schutz- Diode Lade- regler DC Batterie Spannungs- aufbe- reitung DC AC Ver- brau- cher Fuse Hinzu kommen Zusatzkomponenten wie Kabel, Halterungen, Gehäuse, Schalter etc. SS 2006 REND Dr. Karl Molter

56 Solargenerator Der Solargenerator ist in Spannung und Leistung auf den Speicher und den Verbraucher bzw. bei netzgekoppelten Systemen auf den Wechselrichter abzustimmen Dies erreicht man durch geeignete Parallel- und Serienschaltung von Modulen Inselsystem ohne Wechselrichter werden meist als 12V oder 24V und seltener 48V Gleichspannungssysteme ausgelegt. Um Spannungsverluste am Laderegler und der Verkabelung auszugleichen, sollte die Nennspannung der verwendeten Module ca. 3 bis 5 V oberhalb der Systemspannung liegen SS 2006 REND Dr. Karl Molter

57 Solargenerator Die Dimensionierung des Solargenerators hängt auch von den solaren Einstrahlungsbedingungen des Standortes ab: Soll ein Deckungsgrad von 100% erreicht werden, dimensioniert man das System nach dem Zeitraum, in dem die solare Einstrahlung am niedrigsten ist (in unseren Breiten: Dezember / Januar) Ausrichtung (Azimut) auf der Nordhalbkugel nach Süden, auf der Südhalbkugel nach Norden (Abweichungen von ± 30° wirken sich um weniger als 5% im Energieertrag aus Faustformel: Neigungswinkel ~ Breitengrad Steiler: höherer Ertrag im Frühling / Herbst Flacher: Höherer Ertrag im Sommer Sonnenstandsnachführung ist aufwendig und rechnet sich meist nicht gegen einen höheren Energieertrag von 10 – 15% SS 2006 REND Dr. Karl Molter

58 Einstrahlungscharakteristik
SS 2006 REND Dr. Karl Molter

59 Solares Strahlungsangebot
REND Dr. Karl Molter

60 Solare Einstrahlung in Deutschland
Strahlungsatlas 2002 Nord-Süd-Gefälle zwischen ca. 900 und 1300 kWh/m² pro Jahr auf die Horizontale SS 2006 REND Dr. Karl Molter

61 Solare Einstrahlung weltweit (kWh/m² a) auf die Horizontale
SS 2006 REND Dr. Karl Molter

62 Ertragsergebnis SS 2006 REND Dr. Karl Molter

63 Ertragsparameter Abhängig von:
Standort / Klima Mitteleuropa: 700 – 900 kWh pro kWp installierter Leistung Ausrichtung (Neigung, Azimut) ± 20°  ± 5% Ertragseinbuße PV-Technologie bestimmt u.a. Flächenbedarf/Wirkungsgrad Zusatznutzen bzw. Einspareffekten netzferne Stromversorgung, weitere vgl. Abschnitt 4 Ökobilanz CO2 Einsparung etc. SS 2006 REND Dr. Karl Molter

64 Vergütung von Solarstrom (EEG, in Deutschland)
Voraussetzung: 100% Netzeinspeisung Degression: 5 % jährlich ab 2005, bei Freiflächenanlagen: 6,5 % ab 2006 Jahr 2004 2005 2006 2007 2008 Gebäudeanlagen 57,4 ct 54,53 ct 51,80 ct 49,21 ct 46,75 ct ab 30 kW 54,6 ct 51,87 ct 49,28 ct 46,82 ct 44,48 ct ab 100 kW 54,0 ct 51,30 ct 48,74 ct 46,30 ct 43,99 ct Fassadenbonus 5,00 5,00 ct Freilandanlagen 45,7 ct 43,42 ct 40,60 ct 37,96 ct 35,49 ct SS 2006 REND Dr. Karl Molter

65 Baurechtliche Aspekte
Regelung durch Landesbauordnungen: In der Regel sind Solaranlagen genehmigungsfrei, sofern sie an der Fassade, auf Flachdächern oder in der Dachfläche errichtet werden. Ausnahmen: Denkmalschutz, ggf. hervorspringende Objekte, Bebauungsplan Für eine Freiflächenanlagen wird auf jeden Fall eine Baugenehmigung benötigt. SS 2006 REND Dr. Karl Molter

66 Statische Anforderungen
Dachintegration Zusätzliche Dachlast durch PV-Anlage: ca. 0,25 kN/m², in der Regel weniger als 15 % der Gesamtlast, für die der Dachstuhl ausgelegt ist. Ggf. individuelle Prüfung bei Steildach oder windexponierten Standorten Fassadenintegration: Jeweils Gesamtbetrachtung der Fassadenkonstruktion erforderlich SS 2006 REND Dr. Karl Molter

67 4. PV-Gebäudeintegration
Photovoltaik als multifunktionales Element Beispiele Weiterführende Informationen SS 2006 REND Dr. Karl Molter

68 4.1 Witterungsschutz Regen- und Winddichtigkeit Windlastfestigkeit
Klimawechselresistenz Alterungsbeständigkeit SS 2006 REND Dr. Karl Molter

69 Beispiel: Kraftwerksturm Duisburg
SS 2006 REND Dr. Karl Molter

70 Beispiel: Vordach SS 2006 REND Dr. Karl Molter

71 4.2 Wärmedämmung In Kombination mit üblichen Konstruktionen und Wärmedämmstoffen Im Isolierglasverbund SS 2006 REND Dr. Karl Molter

72 Beispiel: Tonnendach SS 2006 REND Dr. Karl Molter

73 Beispiel: Schwimmbad SS 2006 REND Dr. Karl Molter

74 4.3 Wärme / Klima Kombination von PV mit thermischer Energiewandlung in der Gebäudehülle (Luft / Wasser) Verbesserung des PV-Wirkungsgrads SS 2006 REND Dr. Karl Molter

75 4.4 Verschattung Regelung über „Packungsdichte“
Verwendung semitransparenter Zellen SS 2006 REND Dr. Karl Molter

76 Beispiel Verschattung
PV-Doppelglasscheiben Im Atriumsbereich SS 2006 REND Dr. Karl Molter

77 4.5 Schalldämmung Schalldämm-Maß von 25dB durch Mehrschichtaufbau
Höherer Wert durch Mehrscheibenisolier-glastechnik möglich SS 2006 REND Dr. Karl Molter

78 4.6 Elektromagnetische Schirmdämpfung
Elektrisch leitende Elemente wirken wie ein „Faradayscher Käfig“ Reduzierung von Elektrosmog innerhalb von Gebäuden SS 2006 REND Dr. Karl Molter

79 4.7 Elektromagnetische Energiewandlung
Integration einer Sende- oder Empfangsantenne in ein PV-Modul („solare Planar-Antenne“) SS 2006 REND Dr. Karl Molter

80 Beispiel: Nachrichtenübertragung
Computersimulation: Nachrichtenübertragung mit Solarer Planar-Antenne SS 2006 REND Dr. Karl Molter

81 4.8 Heizung Heizung durch „Rückstrom“ in speziell gestalteten Modulen möglich SS 2006 REND Dr. Karl Molter

82 4.9 Solare Energieerzeugung
Ertrag abhängig von Material, Neigung, Ausrichtung, Aufbau … (teilweise) Amortisation der Fassade innerhalb des Lebenszyklus möglich! SS 2006 REND Dr. Karl Molter

83 Beispiel: PV-Dach und Fassade, Hochhausfassade
REND Dr. Karl Molter

84 4.10 Design /Ästhetik PV Fassaden- und Dachelemente sind hochwertige Baumaterialien die den unterschiedlichsten Design-Anforderungen angepasst werden können SS 2006 REND Dr. Karl Molter

85 Alwitra Solarfolie SS 2006 REND Dr. Karl Molter

86 Solardachziegel SS 2006 REND Dr. Karl Molter

87 Beispiel: Sporthalle Tübingen
SS 2006 REND Dr. Karl Molter

88 Beispiel: BP Showcase SS 2006 REND Dr. Karl Molter

89 Beispiel: Feuerwehr SS 2006 REND Dr. Karl Molter

90 Fachzeitschriften (Auswahl)
Photon - das Solarstrom-Magazin Solar Verlag GmbH  Wilhelmstraße 34  Aachen  Tel.: ++49-(0)241 /   Fax: ++49-(0)241 /   Solarthemen   Guido Bröer und Andreas Witt GbR  Freies Redaktionsbüro für Umwelt- und Zukunftsfragen  Bültestr. 85  Bad Oeynhausen  Tel.: ++49-(0)5731/83460  Fax: ++49-(0)5731/83469  Solarzeitalter   Neckar-Verlag GmbH  Postfach 1820  Villingen-Schwenningen  Tel.: ++49-(0)7721 /   Sonnenenergie   DGS-Sonnenenergie Verlags-GmbH  Augustenstr. 79  München  Tel.: ++49-(0)89 /   Fax: ++49-(0)89 / Sonnenenergie & Wärmetechnik   Bielefelder Verlagsanstalt GmbH & Co. KG  Postfach   Bielefeld  Tel.: ++49-(0)521 / 595-0  Fax.: ++49-(0)521 / Sonnenzeitung   URANUS Verlag  Lange Gasse 48/5  A-1080 Wien  Tel:   Fax:   SS 2006 REND Dr. Karl Molter

91 Informationsquellen im Internet (Auswahl)
OTTI Kolleg: (Seminare, Kurse Veranstaltungen, sehr gute Tagungsbände) Forschungsverbund Sonnenergie Forschungsverbund Sonnenergie (8 Mitgliedsinstitute) Solarserver der TU-Berlin,AG Erneuerbare Energien TU-Berlin: Institut für Elektrische Energietechnik Arbeitsgruppe Erneuerbare Energien (mit grosser Adressedatenbank zum Thema Solarenergie) Internationales Wirtschaftsforum Regenerative Energien mit aktuellen Informationen aus Politik, Wirtschfaft und Forschung (IWR) Solarserver mit aktuellen Informationen aus Politik, Wirtschaft und Forschung Solarserver.de Software: Valentin Energiesoftware: PVSOL, Meteonorm Econzept Energieplanung: PVS2001 SS 2006 REND Dr. Karl Molter

92 Diese Powerpoint Präsentation ist über meine Homepage
-> Lehrtätigkeit verfügbar. Vielen Dank für Ihre Aufmerksamkeit! SS 2006 REND Dr. Karl Molter

93 SS 2006 REND Dr. Karl Molter