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Veröffentlicht von:Rolf Schneider Geändert vor über 6 Jahren
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Mikroelektronische und optische Bauelemente
Prof. Hagemann Herstellung, Funktion und Anwendungen von integrierten Si-Spreading-Resistance Sensoren Timo Baumeister Matr.-Nr Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Physikalische Grundlagen Kenndaten Herstellung Bauformen
Inhalt Einleitung Schematischer Aufbau Physikalische Grundlagen Kenndaten Herstellung Bauformen Anwendungsgebiete Zusammenfassung Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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PTC-Temperatursensor („positive temperature coefficient“)
Einleitung PTC-Temperatursensor („positive temperature coefficient“) Silizium-Sensor Prinzip des Ausbreitungswiderstand („spreading resistance“) Ursprung aus der „one-point-method“ zur Bestimmung des spezifischen Widerstand von Halbleitern Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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kegelförmige Stromverteilung:
Einleitung kegelförmige Stromverteilung: wesentlich unempfindlicher gegenüber Toleranzen im Kristallgitter weniger Einfluß auf den Sensorwiderstand d Durchmesser Bohrung D Dicke des Chip d << D Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Schematischer Aufbau Metallisierung SiO2 (Isolation)
n+ dotiert SiO2 (Isolation) Feldlinie Äquipotentialfläche spez. Widerstand ρ n dotiertes Si Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Ersatzschaltbild („spreading resistance“)
Schematischer Aufbau Ersatzschaltbild („spreading resistance“) Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Widerstand durch Unsymmetrie nicht unabhängig von der Stromrichtung
Schematischer Aufbau Widerstand durch Unsymmetrie nicht unabhängig von der Stromrichtung „Doppel“-Sensorausführung (Reihenschaltung mit entgegensetzten Polaritäten) Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Schematischer Aufbau Metallisierung Oxidschicht
Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Physikalische Grundlagen
Widerstand ρ = spezifischer Widerstand d = Durchmesser der Bohrung spezifischer Widerstand e = Elementarladung µ = Beweglichkeit N = Dotierungskonzentration Beweglichkeit µ Ladungsträger in Si = f(θ) Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Physikalische Grundlagen
Zusammenhang: Dotierungselektronen für Ladungstransport verantwortlich (1014 < N < 1015) steigende Temperatur sinkende Elektronen-Beweglichkeit steigender Widerstand Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Physikalische Grundlagen
Abhängigkeit des spezifischen Widerstands ρ von der Temperatur θ für P- und N-dotiertes Silizium Begrenzung: Thermisch erzeugte Ladungsträger kompensieren Bewegungsabnahme der Dotierungselektronen Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Physikalische Grundlagen
Mathematischer Zusammenhang: = Widerstand bei der Temperatur = Widerstand bei α,β Temperaturkenngrößen: α = 0,773*10-2K-1 β = 1,83*10-5K-2 Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Kenndaten Widerstand R25 = 1000 Ω Dauerstrom ID = 1 mA Spitzenstrom
(θ = 25°C, ID ≤ 1mA) R25 = 1000 Ω Dauerstrom ID = 1 mA Spitzenstrom IM = 10 mA Temperaturkoeffizient (θ = 25°C ) αR = 0,77%K-1 Meßtemperaturbereich -55°C … +150°C Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Oberfläche geschützt durch
Herstellung Planartechnologie wg. sehr kleiner Toleranzen: NTD-Silzium („Neutron-Transmutation Doping“, Neutronen-Bestrahlung in Nuklearreaktor) Oberfläche geschützt durch Phosphorglasschicht Si-Nitrid-Versiegelung Anschlußkontakte Gold-metallisiert Gold-Bonding Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Bauformen KTY81: Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Bauformen KTY82: Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Bauformen KTY83/84: KTY85: Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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Anwendungsgebiete Timo Baumeister SS 2005 Mikroelektronische und optische Bauelemente FH Aachen
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