Elektronik Lösungen
2 Halbleiterdiode
2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode
2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode
2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode Bereits im Herstellungsprozess der Diode rekombinieren im Grenzbereich von n-Schicht und p-Schicht kurzzeitig freie Elektronen und Defektelektronen (Löcher). Diese Sperrschicht (Rekombinationsschicht) ist zwar nur ca. 1/10mm stark, kann aber von weiteren beweglichen Ladungsträgern der beiden Halbleiter-Schichten zunächst nicht überwunden werden. Die Diode hat dabei einen verhältnismäßig hohen elektrischen Widerstand.
2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode
2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode Der Pluspol der Stromquelle saugt einige Elektronen aus der n-Schicht ab und der Minuspol der Stromquelle "presst" gleichzeitig einige Elektronen in die p-Schicht, die in Rekombinationssprüngen zur Sperrschicht wandern (Sogwirkung des Pluspols) und die Sperrschicht noch weiter verbreitern. Der el. Widerstand der Diode hat sich dadurch vergrößert. Die Diode ist in Sperr-Richtung geschaltet.
2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode
2.1 Aufbau und Funktion der Halbleiterdiode Der Pluspol der Stromquelle saugt Elektronen aus der Sperrschicht ab, der Minuspol "presst" Elektronen in die n-Schicht. Ab der Durchbruchspannung (Schwellenwert) von ca. 0,7 Volt ist die Sperrschicht vollständig aufgelöst. Elektronen wandern dann vom n-Anschluß in Rekombinationssprüngen durch die n-Schicht und die p-Schicht zum p-Anschluß der Diode. Der elektrische Widerstand der Diode ist dabei sehr gering geworden. Die Diode ist in Durchlaßrichtung geschaltet.