Transistor Michael Funke – DL4EAX

Präsentation zum Thema: "Transistor Michael Funke – DL4EAX"—  Präsentation transkript:

1 Transistor Michael Funke – DL4EAX
Kapitel Fragen TC601 bis TC617 Die Fragen TC618 bis TC626 werden im Kapitel Verstärker (1.4.4) behandelt Michael Funke – DL4EAX

2 Bipolare Transistoren

3 Bipolare Transistoren
Nimmt man zwei anstelle von einem PN-Übergang, hat man einen Transistor: Bildquelle: Michael Funke – DL4EAX

4 Die Funktion kann man sich so vorstellen
Bildquelle: Von Stefan Riepl (Quark48 21:02, 2. Dez (CET)) - Eigenes Werk (Originaltext: selbst erstellt), CC BY-SA 2.0 de

5 Die Funktion kann man sich so vorstellen
In Worten: Ein kleiner Strom an der Basis steuert einen größeren Strom vom Kollektor zum Emitter. Üblicherweise liegt der Verstärkungsfaktor zwischen 10 und 900.

6 Schalter oder Verstärker
Die Ansteuerung kann so eingestellt werden, dass der Transistor sperrt oder voll durch-steuert, dann spricht man von einem Schalt-transistor. Die Ansteuerung kann so eingestellt werden, dass der Transistor stufenlos gesteuert wird. Dann spricht man von einem Verstärker.

7 NPN und PNP - Aufbau und Schaltzeichen
Bildquelle: Michael Funke – DL4EAX

8 Merksatz - PNP “Pfeil nach Platte“
Bildquelle: Michael Funke – DL4EAX

9 NPN-Transistor Bei einem NPN-Transistor benötigt man zum Durchschalten eine positiven Steuerspannung und eine positive Kollektor-spannung. Das Diodenmodell (welches nur einen kleinen Teil der Eigenschaften des Transistors erklärt und mit Vorsicht zu genießen ist), veranschaulicht z.B. warum der NPN Transistor eine positive Steuerspannung an der Basis im Bezug auf den Emitter benötigt. Anders gesagt: Die „Basis-Emitter-Diode“ muss mit +0.6 Volt angesteuert werden. Die „Kollektor-Emitter-Diode“ hingegen verhält sich wie eine Zenerdiode und wird entgegen ihrer normalen Polarität leitend. Bildquelle: Michael Funke – DL4EAX

10 Wann schaltet der NPN Transistor durch?
Bildquelle: Michael Funke – DL4EAX

11 PNP-Transistor Bei einem PNP-Transistor benötigt man zum Durchschalten eine negativen Steuerspannung und eine negative Kollektorspannung. Das Diodenmodell (welches nur einen kleinen Teil der Eigenschaften des Transistors erklärt und mit Vorsicht zu genießen ist), veranschaulicht z.B. warum der PNP Transistor eine negative Steuerspannung an der Basis im Bezug auf den Emitter benötigt. Anders gesagt: Die „Basis-Emitter-Diode“ muss mit -0.6 Volt angesteuert werden. Die „Kollektor-Emitter-Diode“ hingegen verhält sich wie eine Zenerdiode und wird entgegen ihrer normalen Polarität leitend. Bildquelle: Michael Funke – DL4EAX

12 Wann schaltet der PNP Transistor durch?
Bildquelle: Michael Funke – DL4EAX

13 Feldeffekttransistoren

14 Feldeffekttransistoren
Den Feldeffekttransistor (FET) gab es im Labor schon in den 20er Jahren. Eine Produktion in großen Stückzahlen gelang aber erst in den 60er Jahren, als die Ausgangsmaterialien in der entsprechenden Reinheit und Menge produziert werden konnten. Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolar-transistoren sind Feldeffekttransistoren spannungs-gesteuert. Es fließt also kein Steuerstrom in sie hinein.

15 Feldeffektransistoren
Die Steuerung erfolgt über die Gatespannung, die zur Regulation der Ladungsträgerdichte dient. Der FET verfügt standardmäßig über drei Anschlüsse: Bezeichnung Erklärung G - Gate Englisch für Tor, Gatter, der Steuerelektrode D - Drain Englisch für Senke, Abfluss S - Source Englisch für Quelle, Zufluss Anders ausgedrückt: Die Gatespannung steuert den Widerstand des Kanals zwischen Source und Drain.

16 Feldeffekttransistoren
Grundsätzliche Funktionsweise: Bildquelle: Stefan Riepl (Quark48). Eigenes Werk (Originaltext: selbst erstellt), Gemeinfrei,

17 Feldeffektransistoren
Es gibt, abhängig von Dotierung und Aufbau, verschiedene Typen von Feldeffekttransistoren: Sperrschicht-Feldeffektransistoren (JFET) Sperrschicht-FETs werden im Englischen als JFET bezeichnet. Das J steht für Junction, was Sperrschicht bedeutet. Sperrschicht-FETs gibt es als n-Kanal- und p-Kanal-Typen. Isolierschicht-Feldeffekttransistor (MOS-FET) Die Bezeichnung MOS bedeutet Metal-Oxide-Semiconductor (Metall-Oxid-Halbleiter). Es gibt insgesamt 4 MOS-FET-Typen, wobei man zwischen n-Kanal- und p-Kanal; sowie Selbstleitend und Selbstsperrend unterscheidet.

18 Sperrschicht-Feldeffektransistoren (JFET)
Es gibt, abhängig vom Aufbau, zwei verschiedene Typen: Aufbau Schaltbild N-Kanal P-Kanal

19 Isolierschicht-Feldeffekttransistor (MOS-FET)
Es gibt, abhängig von Dotierung und Aufbau, vier verschiedene Typen: Dotierung Aufbau Schaltbild Selbstleitend N-Kanal P-Kanal Selbstsperrend Das Sperren kann man sich durch die unterbrochenen Linien merken.

20 Dual Gate MOS-FETs Eine besondere Art des MOS-FETs ist die Ausführung mit zwei Gateanschlüssen. Hier kann man mit zwei unterschiedlichen Signalen die Leitfähigkeit zwischen Drain und Source steuern. Bildquelle: Michael Funke – DL4EAX

21 Das war der Transistor! Alles verstanden?
Bildquelle: Benedikt.Seidl - Eigenes Werk, Gemeinfrei

22 Initiales Autorenteam: Michael Funke - DL4EAX Willi Kiesow – DG2EAF Änderungen durch: Hier bitte Ihren Namen eintragen, wenn Sie Änderungen vorgenommen haben. Sie dürfen: Teilen: Das Material in jedwedem Format oder Medium vervielfältigen und weiterverbreiten. Bearbeiten: Das Material verändern und darauf aufbauen. Unter folgenden Bedingungen: Namensnennung: Sie müssen angemessene Urheber- und Rechteangaben machen, einen Link zur Lizenz beifügen und angeben, ob Änderungen vorgenommen wurden. Diese Angaben dürfen in jeder angemessenen Art und Weise gemacht werden, allerdings nicht so, dass der Eindruck entsteht, der Lizenzgeber unterstütze gerade Sie oder Ihre Nutzung besonders. Nicht kommerziell: Sie dürfen das Material nicht für kommerzielle Zwecke nutzen. Weitergabe unter gleichen Bedingungen: Wenn Sie das Material verändern oder anderweitig direkt darauf aufbauen, dürfen Sie Ihre Beiträge nur unter derselben Lizenz wie das Original verbreiten. Der Lizenzgeber kann diese Freiheiten nicht widerrufen solange Sie sich an die Lizenzbedingungen halten. Details: