Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As Optoelektronische Halbleiterbauelemente Vorlesung: Donnerstag 14:00-15:30.

Präsentation zum Thema: "Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As Optoelektronische Halbleiterbauelemente Vorlesung: Donnerstag 14:00-15:30."—  Präsentation transkript:

1 Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 120.10.2016 Optoelektronische Halbleiterbauelemente Vorlesung: Donnerstag 14:00-15:30 Übungen: Mittwoch 12:00-13:00 Prüfung: mündliche Prüfung Im Rahmen der Veranstaltung sollen die physikalischen Grundlagen und die Funktionsweise wichtiger optoelektronischer Bauelemente erläutert werden.

2 2 Dozent Prof. Dr. Donat J. As AG Optoelektronische Halbleiter – Gruppe III-Nitride Büro: P8.2.10 E-Mail: d.as@uni-paderborn.ded.as@uni-paderborn.de Sprechzeiten: Nie und immer! http://physik.uni-paderborn.de/as/ Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

3 3 AG optoelektronische Materialien und Bauelemente Labors und Büros im P8 Gebäude großer Reinraumbereich Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

4 4 AG Optoelektronische Halbleiterbau- elemente – Gruppe III-Nitride kubische Gruppe-III-Nitride für optische und elektronische Anwendungen (Prof. Dr. Donat As) Gruppe-III-Arsenide und -Antimonide für optische und elektrische Anwendungen ( Prof. Dr. Dirk Reuter) AG optoelektronische Materialien und Bauelemente Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

5 5 Molekularstrahlepitaxie  UHV-Verfahren  Atomlagen- genaue Kontrolle der Schicht- dicken  Reinheiten von 0,1 ppb können erreicht werden  sehr gute laterale Schichthomo- genität Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016 oder N-Plasma-Source

6 6 Kubische Gruppe-III-Nitride Forschungsschwerpunkt: kubische Nitride - sind nicht die Gleichgewichtsstruktur - keine eingebaute el. Felder Plasma-assisted MBE Quantenfilmstrukturen Mikrostrukturen Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

7 7 InAs/GaAs/AlAs-Heterostrukturen (AG Reuter) Forschungsschwerpunkt: InAs-Quantenpunkte - durch 3D-Ladungsträgereinschluss bekommt man atomar scharfe Energieniveaus - „künstliche Atome“ Charakterisierung durch C-V-Spektroskopie, SEM, AFM und optische Methoden µ-LEDs als Einzelphotonenemitter Quantendrähte als Einzelphotonendetektor Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

8 8 Optoelektronik Strom reinLicht raus Licht rein Strom raus, Spannung raus Verknüpfung der Welt der Optik und der Welt der Elektronik! Allergrößtenteils auf Halbleiterbasis (und Isolatoren für nichtlineare Effekte)! Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

9 9 Optoelektronik LEDs RCLEDs Laser Detektoren Optische Netzwerke Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

10 10 Optoelektronik Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

11 11 Inhalt I Licht emittierende Dioden (LEDs): Materialsysteme für LEDs Arbeitsweise einer LED Externe Quanteneffizienz Fortschrittliche LED-Strukturen Leistungsmerkmale einer LED Farbempfindlichkeit, Farbanpassungsfunktionen Weiße LEDs RCLEDs Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

12 12 Inhalt II (vorläufig) Laserdioden spontane und stimulierte Emission die Laserstruktur - der optische Resonator optische Moden in einem planaren Wellenleiter der optische Confinement Faktor optische Absorption, Verluste und Verstärkung Laser unterhalb und oberhalb des Schwellwerts Ratengleichungen Fortschrittliche Strukturen (elektr. Eigenschaften) Doppelheterostrukturlaser Quantum-Well-Laser (GRINSCH) Quantum-Draht und Punkt-Laser Fortschrittliche Strukturen (optische Eigenschaften) gain und index geführte FP-laser DFB (distributed feedback)-laser Oberflächenemittierende Laser (VCSEL) Kaskadenlaser Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

13 13 Inhalt III (vorläufig) Optoelektronische Detektoren optische Absorption in Halbleitern Materialen für optische Detektoren Photoleiter P-I-N Photodetektor Lawinendurchbruchsphotodetektor (APD) Phototransistor Metall-Halbleiter Detektor Quantum-Trog-Intersubband-Detektor fortschrittliche Detektoren Modulationsverfahren (AM, FM, IM) Rauscharten Detektionsgrenze und Rauschen Verstärkerempfänger digitale Empfängerempfindlichkeit Heterodynverfahren Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

14 14 Voraussetzungen Kenntnisse aus Physik A-D theoretischer Physik Festköperphysik Halbleiterphysik sollten vorhanden sein. Falls Fragen sind, bitte stellen. Die ein oder andere Zwischenerklärung können wir uns leisten! Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

15 15 Literatur I J. Singh, “Semiconductor Optoelectronics“ LEDs: E.F. Schubert, „Light–Emitting Diodes“ Laserdioden: S.L.Chuang, „Physics of Optoelectronic Devices“ J. Singh,„Optoelectronics – An Introduction to Materials and Devices“ G.P. Agraval and N.K. Dutta, „Semiconductor Lasers“ H. Kessel,„Semiconductor Lasers and Heterojuntion LEDs“ H.C. Casey, Jr. and M.B. Panish, „Heterostructure Lasers“ P.S. Zory, Jr.„Quantum Well Lasers“ K. Petermann,„Laser Diode Modulation and Noise“ Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

16 16 Literatur II Optische Nachrichtentechnik: G.P. Agrawal:„Fiber-Optic Communication Systems“ K.J. Ebeling:„Integrierte Optoelektronik“ H.P. Zappe:„Introduction to Semiconductor Integrated Optics“ Allgemeine Halbleiterphysik: S.M. Sze, „Physics of Semiconductor Devices“ J. Singh, „Physics of Semiconductors and their Heterostructures“ J. Singh,„Semiconductor Devices – An Introduction“ O. Manasreh„Semiconductor Heterojunctions and Nanostructures“ Skript: Vorlesungsfolien können von der Homepage als pdf files heruntergeladen werden. Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016

17 17 II-VI-Halbleiter für die Quanteninformationsverarbeitung Forschungsschwerpunkt: F in ZnSe Quantenfilmen - flache n-Typ Störstelle - Donorgebundenes Excition als Quantensystem Mirkostrukturen für integrierte Optik Quantenoptische Messungen Optoelektronische Halbleiterbauelemente, WS16/17 Prof. Dr. Donat J. As 20.10.2016